賽晶科技公布2024年度中期業(yè)績 錄得總收入人民幣6.56億元 同比增長43%

2024年度中期業(yè)績報(bào)告摘要（截至2024年6月30日止6個月）

• 總收入為人民幣6.56億元，同比增加約43%；歸屬母公司凈利潤3,358萬元，同比扭虧為盈。
• 配輸電業(yè)務(wù)方面，報(bào)告期內(nèi)集團(tuán)于該分領(lǐng)域的銷售收入達(dá)人民幣3.58億元，同比大幅增長105%。其中直流輸電業(yè)務(wù)同比增長177%，柔性輸電業(yè)務(wù)同比增長196%。
• 研發(fā)方面，將在8月底正式發(fā)布自研碳化硅（SiC MOSFET）晶片，電阻率低至13毫歐，達(dá)到了國際領(lǐng)先水準(zhǔn)。

賽晶科技集團(tuán)有限公司（「賽晶科技」或「公司」，連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團(tuán)」；股份代號：0580.HK）披露截至2024年6月30日止半年度（「報(bào)告期內(nèi)」）的業(yè)績公告。

報(bào)告期內(nèi)，公司總收入為人民幣6.56億元，較2023年同期增長43%；歸屬母公司凈利潤3,358萬元，同比扭虧為盈。其中，國內(nèi)市場收入為人民幣6.17億元，較2023年同期增長40%；國外市場收入為人民幣3,871萬元，較2023年同期增長94%。

直流輸電業(yè)務(wù)高歌猛進(jìn)，輸配電業(yè)務(wù)營收同比增長105%

隨著直流輸電專案數(shù)量與市場規(guī)模的迅猛擴(kuò)張，公司依托在直流輸電領(lǐng)域穩(wěn)固的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，2024上半年輸配電業(yè)務(wù)營收達(dá)到3.58億元，同比增長105%。其中，在特高壓常規(guī)直流輸電板塊，公司圓滿交付了服務(wù)于“金上-湖北”、“哈密-重慶”、“寧夏-湖南”等國家級特高壓工程專案的關(guān)鍵設(shè)備訂單，推動該領(lǐng)域營收同比增長高達(dá)177%。在柔性輸電板塊，公司主要交付了用于德國BorWin6海上風(fēng)電柔性直流輸電工程及國網(wǎng)四川成都供電公司66KV構(gòu)網(wǎng)型直掛靜止無功發(fā)生器（SVG）的訂單，實(shí)現(xiàn)該領(lǐng)域營收同比增長196%。

此外，公司自主研發(fā)的柔性直流輸電用直流支撐電容器，于2024年初通過國家級新技術(shù)產(chǎn)品鑒定，隨后在“國網(wǎng)四川成都供電公司66KV構(gòu)網(wǎng)型直掛靜止無功發(fā)生器”及“華能玉環(huán)2號海上風(fēng)電專案220千伏送出工程”等多個專案中實(shí)現(xiàn)批量供貨，并完成了100%的國產(chǎn)替代。有望在后續(xù)柔性輸電專案中，帶來新的業(yè)績增長空間。

總體來看，常規(guī)直流輸電工程、柔性輸電工程的在建及儲備專案豐富。上半年“金上-湖北”等專案順利推進(jìn)，同時“陜北-安徽”等多地儲備專案蓄勢待發(fā)，國外專案如“沙特中西和中南”等也有望開工。此外，“疆電送電川渝”等特高壓專案公布，新型輸電技術(shù)如低頻、遠(yuǎn)海風(fēng)電直流等不斷涌現(xiàn)，拓寬市場空間。直流輸電行業(yè)快速增長，新技術(shù)需求旺盛，公司將憑借領(lǐng)先地位，將持續(xù)推動業(yè)績高增長。

功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)客戶數(shù)量大幅增長，晶片研發(fā)成果顯著

上半年，公司自研功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的市場推廣和客戶開拓工作依然取得了顯著成績。2024年上半年，盡管銷售收入受到一定影響，但客戶總數(shù)實(shí)現(xiàn)了同比104%、環(huán)比45%的大幅增長。其中，完成測試和供應(yīng)商導(dǎo)入工作并進(jìn)入批量供貨階段的客戶數(shù)量更是同比增長100%、環(huán)比增長125%。

產(chǎn)能方面，上半年也實(shí)現(xiàn)了有序提升。公司已經(jīng)啟動了第三條IGBT模組封裝測試生產(chǎn)線，及第一條碳化硅模組封測生產(chǎn)線的廠房內(nèi)部建設(shè)和設(shè)備采購工作，有望在2024年底前完成生產(chǎn)調(diào)試前的全部準(zhǔn)備工作。

研發(fā)方面，上半年公司自研功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了顯著成果。下半年將有一系列功率半導(dǎo)體晶片推出，進(jìn)一步豐富了集團(tuán)的晶片產(chǎn)品線，為公司在高端功率半導(dǎo)體市場的長遠(yuǎn)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)：

• 碳化硅（SiC MOSFET）晶片的研發(fā)，電阻率低至【13】毫歐，達(dá)到了國際領(lǐng)先水準(zhǔn)，將在8月底正式發(fā)布。
• 采用第七代微溝槽技術(shù)的i23系列1200V / 300A IGBT晶片，即將研發(fā)完成。同時，采用i23系列晶片的1200V/800A、900A ED封裝IGBT模組也將陸續(xù)推出。
• i20系列IGBT晶片產(chǎn)品線進(jìn)一步擴(kuò)展，即1200V / 200A、150A、100A，1700V / 150A、100A、75A等多款晶片研發(fā)進(jìn)展順利，即將推出。
• EP封裝IGBT模組，研發(fā)進(jìn)展順利，即將推出。

未來展望

為加快構(gòu)建新型電力系統(tǒng)，促進(jìn)新能源高質(zhì)量發(fā)展，推動大規(guī)模設(shè)備更新改造，國家電網(wǎng)公司公布：今年全年電網(wǎng)投資將首次超過6000億元，比去年新增711億元。受益于此，特高壓常規(guī)和柔性直流輸電，及海上風(fēng)電直流送出、構(gòu)網(wǎng)型SVG、低頻輸電等柔性輸電領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)呈現(xiàn)旺盛的市場需求，并有助于提升本集團(tuán)的業(yè)績表現(xiàn)。公司繼續(xù)全力加強(qiáng)行銷開拓，促進(jìn)自研功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)回升及其他各項(xiàng)業(yè)務(wù)繼續(xù)增長。