加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

eSATA接口靜電放電防護方案

08/21 16:40
745
閱讀需 7 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

eSATA接口靜電放電防護方案

方案簡介

eSATA,全稱為External Serial ATA(外部串行ATA),是SATA接口的一種外部應用標準。SATA接口的設計僅供作為使用于系統(tǒng)機箱內(nèi),而eSATA則是其“外部化”版本,用來連接那些安裝在機箱外部的SATA設備。借助eSATA接口,用戶能夠便捷地將SATA硬盤直接連接到機箱外部的相應接口上,省去了打開機箱更換硬盤的繁瑣步驟。eSATA接口優(yōu)勢在于其高傳輸速度和低CPU占用率,其理論傳輸速度可達到1.5Gbps或3Gbps,甚至更高版本SATA-IO可支持6Gbps,使得eSATA接口非常適合進行大文件的傳輸、備份和存儲。

eSATA接口支持熱插拔功能,用戶可以在不關(guān)機的情況下隨時接上或移除SATA裝置,提高了使用的便捷性。如何避免因頻繁的插拔線纜所造成的ESD管損害,怎么讓產(chǎn)品穩(wěn)定可靠的運行,成為我們迫切需要處理的問題。此方案信號部分采用集成四通道保護、超低容值、低漏電的ESD防護器件,在不影響數(shù)據(jù)傳輸的前提下滿足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護需求,讓后端的電路得到有效防護。

引腳配置及工作原理

引腳 名稱 功能
1 GND 地線
2 A+ 數(shù)據(jù)發(fā)送+
3 A- 數(shù)據(jù)發(fā)送-
4 GND 地線
5 B- 數(shù)據(jù)接收-
6 B+ 數(shù)據(jù)接收+
7 GND 地線

SATA采用串行數(shù)據(jù)傳輸方式,即數(shù)據(jù)以逐位(bit)的形式進行傳輸,且使用差分信號和特定的數(shù)據(jù)協(xié)議來管理和控制數(shù)據(jù)傳輸,差分信號通過一對相互補償?shù)男盘柧€(差分對)來傳輸數(shù)據(jù),接收端通過檢測兩個信號之間的差異來恢復原始信號,提高了信號的抗干擾能力和傳輸距離。

應用示例

我們?yōu)閑SATA接口提供了兩種封裝相同電氣特性相似的十引腳ESD防護器件,專為保護高速差分線路而設計,可同時保護兩個差分數(shù)據(jù)對,其型號分別為SEUC10F3V4U和SEUC10F3V4UB。器件的流通式封裝設計簡化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續(xù)性,促進了信號完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性的提升。

SEUC10F3V4U結(jié)電容為0.6pF,鉗位電壓為13V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,可在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護。SEUC10F3V4UB結(jié)電容為0.5pF,鉗位電壓僅為3.5V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,可在 ±23kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護??蛻艨筛鶕?jù)線路實際情況選擇器件。

型號參數(shù)

規(guī)格型號 方向 工作電壓(V) IPP(A) 鉗位電壓(V) 結(jié)電容(pF) 封裝
SEUC10F3V4U Uni 3.3 8 13 0.6 DFN2510-10L
SEUC10F3V4UB Uni 3.3 8 3.5 0.5 DFN2510-10L

電氣特性表

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse stand-off voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT= 1mA 4.0 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 1 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; TP=8/20us 7.0 9.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=8A; TP=8/20us 13.0 15.0 V
Junction capacitance CJ I/O pins to ground;

VR=0V; f = 1MHz

0.6 1.0 pF
Between I/O pins;
VR=0V; f = 1MHz 0.3 0.5

表1 SEUC10F3V4U電氣特性表

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 5.0 7.3 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 100 nA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us 1.0 3.0 V
Clamping Voltage VCL IPP=8A; tp=8/20us 3.5 5.0 V
Dynamic Resistance Rdyn IR= 16A; Tamb = 25℃ 0.2 Ω
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz;IO-GND 0.50 pF
VR=0V; f=1MHz;IO-IO 0.22

表2 SEUC10F3V4UB電氣特性表

總結(jié)與結(jié)論

由于eSATA接口在現(xiàn)實生活中對于需要高速、穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶I(yè)用戶以及追求高效數(shù)據(jù)處理體驗的消費者而言具有重要的意義,保護eSATA接口免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務,為各種接口提供值得信賴的保護器件。以上解決方案是保護eSATA接口的優(yōu)選之策,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
2N7002DW 1 Diodes Incorporated Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$0.41 查看
T491D106K035AT 1 KEMET Corporation Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 35V, 10% +Tol, 10% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2917, CHIP

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.01 查看
C1608X7R1H104K080AA 1 TDK Corporation Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.1 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜