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BNC靜電放電防護(hù)方案

08/16 07:54
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方案簡(jiǎn)介

BNC接口是一種用于同軸電纜連接器,有傳送距離長(zhǎng)、信號(hào)穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),被大量用于通信系統(tǒng)中,在高檔的監(jiān)視器、音響設(shè)備中也經(jīng)常用來(lái)傳送音頻、視頻信號(hào)。BNC連接器通常由一個(gè)中心針和一個(gè)外部金屬套管組成,其信號(hào)傳輸的媒介是同軸電纜。它利用旋轉(zhuǎn)鎖定機(jī)制與同軸電纜相連,且兼容多種同軸電纜類(lèi)型。

由于BNC接口通常連接于設(shè)備之間,同軸線(xiàn)纜與接口都暴露在外,且需要較遠(yuǎn)距離傳輸,易引入各種干擾,存在靜電浪涌損壞內(nèi)部元器件的風(fēng)險(xiǎn),此類(lèi)情況必然給后續(xù)產(chǎn)品的穩(wěn)定性及可靠性帶來(lái)一定隱患,此方案采用封裝體積小、響應(yīng)速度快、結(jié)電容低的ESD管做保護(hù),在不影響數(shù)據(jù)傳輸的前提下滿(mǎn)足IEC 61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,讓后端的電路得到有效全面的防護(hù)。

應(yīng)用示例

針對(duì)BNC接口的靜電防護(hù)方案,我們提供了SELC3Dxx1B系列的ESD防護(hù)器件。該器件具有低鉗位電壓和低電容,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4 規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護(hù),可保護(hù)天線(xiàn)在惡劣的電磁環(huán)境下免受靜電放電(ESD)和低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾??蛻?hù)可根據(jù)接口的實(shí)際工作電壓對(duì)器件進(jìn)行選擇。

電氣特性表

Part Number VRWM (Max.) VBR(Min.) VCL@I=1A

(Typ.)

IPP

(Max.)

VCL@I=IPP

(Typ.)

IR (Max.) CO(Typ.) 封裝
(V) (V) (V) (A) (V) (uA) (pF)
SELC3D3V1B 3.3 4.5 8.5 15.0 18.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D5V1B 5.0 6.5 8.5 15.0 18.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D8V1B 8.0 8.5 10.0 15.0 20.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D12V1B 12.0 13.3 18.0 12.0 25.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D15V1B 15.0 16.5 22.0 10.0 33.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D18V1B 18.0 20.0 25.0 10.0 35.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D24V1B 24.0 26.0 34.0 8.0 45.0 1.0 0.8 SOD‐323
SELC3D36V1B 36.0 38.0 50.0 6.0 66.0 1.0 0.8 SOD‐323

總結(jié)與結(jié)論

由于BNC接口在音視頻設(shè)備、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)和測(cè)試儀器等領(lǐng)域的重要性,保護(hù)BNC接口免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶(hù)需求性能與封裝提供定制化開(kāi)發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴(lài)的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)BNC接口的優(yōu)選之策,以確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定傳輸。

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器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠(chǎng)商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
0533980671 1 Molex Board Connector, 6 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, ROHS AND REACH COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
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B82494-G1104-K 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 100uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1008,
暫無(wú)數(shù)據(jù) 查看
IPP65R190CFDXKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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