晶圓制造CMP工程師面試干貨小結(jié)

感謝國(guó)內(nèi)某知名Fab廠工作6年的張工對(duì)CMP面試問(wèn)題的解答。CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟之一，它結(jié)合了化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削，旨在實(shí)現(xiàn)晶圓表面的全局平坦化。

一、基礎(chǔ)知識(shí)和原理

1、CMP工藝的基本原理和關(guān)鍵步驟：

CMP是一種將化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削結(jié)合在一起的工藝，用于去除晶圓表面的材料?；驹硎峭ㄟ^(guò)拋光墊和漿料在晶圓表面施加機(jī)械力，同時(shí)漿料中的化學(xué)成分與晶圓表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而軟化和去除材料。關(guān)鍵步驟包括：

拋光墊與晶圓接觸：拋光墊通過(guò)機(jī)械磨削作用對(duì)晶圓表面進(jìn)行物理去除。

漿料供應(yīng)：漿料提供化學(xué)腐蝕作用，同時(shí)潤(rùn)滑拋光墊與晶圓之間的接觸。

終點(diǎn)檢測(cè)：實(shí)時(shí)監(jiān)控材料去除情況，確保達(dá)到預(yù)定的拋光終點(diǎn)。

2、化學(xué)和機(jī)械作用在CMP過(guò)程中的作用：

化學(xué)作用：漿料中的化學(xué)成分與晶圓材料發(fā)生反應(yīng)，形成容易去除的表面層。

機(jī)械作用：拋光墊對(duì)晶圓表面施加壓力，結(jié)合漿料的磨料顆粒，機(jī)械去除已經(jīng)軟化的材料。