USB是一種通用的串行總線標(biāo)準(zhǔn),定義了數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議和電源供應(yīng)規(guī)范,用于連接計算機(jī)與外部設(shè)備。USB接口的設(shè)計初衷是為了簡化計算機(jī)與外部設(shè)備之間的連接,通過一個統(tǒng)一的接口標(biāo)準(zhǔn)來替代以往計算機(jī)上眾多的串行和并行接口。最新一代USB 4.0版本1.0于 2019 年發(fā)布,支持高達(dá) 40 Gbps 的連接,最大功率可達(dá)100W,同時提供與 Thunderbolt 3 和 4 的交叉兼容性。USB 4 版本 2.0將性能進(jìn)一步提升, 將最大速度翻倍至 80 Gbps,輸出功率最大可以達(dá)到240W 。USB4.0物理層形態(tài)只有Type-C一種,新型Type C接口允許正反盲插,并向后兼容 USB 3.2 和 USB 2.0。
USB 4.0接口和傳統(tǒng)USB一樣,都為外露設(shè)計,使用者可以很方便地即插即用、隨拔即關(guān)。然而,這種頻繁的熱插入動作卻潛藏著風(fēng)險,它極易引發(fā)靜電放電(ESD)等瞬時噪聲問題。當(dāng)帶電的USB 4.0接口與系統(tǒng)接觸時,電荷的瞬間轉(zhuǎn)移會產(chǎn)生強(qiáng)大的靜電沖擊,可能導(dǎo)致系統(tǒng)工作異常,影響設(shè)備的正常功能,更嚴(yán)重的是,它還可能直接損壞USB Type-C控制組件,給用戶帶來不必要的損失和困擾。此方案采用超小體積、超低結(jié)電容、超低鉗位電壓的Snap Back(深回掃)ESD靜電防護(hù)器件,專為USB 3.X和USB 4.0接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路提供靜電保護(hù),并采用TDS平緩鉗位器件對總線電源線做靜電浪涌防護(hù),以及常規(guī)型ESD保護(hù)D+/D-差分線和靠近VBUS的通信通道,確保信號的完整性和設(shè)備的安全性。
USB 4.0的引腳配置
Pin | 名稱 | 功能描述 | Pin | 名稱 | 功能描述 |
A1 | GND | 接地 | B1 | GND | 接地 |
A2 | SSTXp1 | 超高速差分信號
#1,TX,正 |
B2 | SSRXp1 | 超高速差分信號
#1,RX,正 |
A3 | SSTXn1 | 超高速差分信號
#1,TX,負(fù) |
B3 | SSRXn1 | 超高速差分信號
#1,RX,負(fù) |
A4 | VBUS | 總線電源 | B4 | VBUS | 總線電源 |
A5 | CC1 | Configuration Channel | B5 | SBU2 | Sideband Use (SBU) |
A6 | Dp1 | USB2.0差分信號Position1,正 | B6 | Dn2 | USB2.0差分信號position2,負(fù) |
A7 | Dn1 | USB2.0差分信號Position1,負(fù) | B7 | Dp2 | USB2.0差分信號position2,正 |
A8 | SBU1 | Sideband Use (SBU) | B8 | CC2 | Configuration channel |
A9 | VBUS | 總線電源 | B9 | VBUS | 總線電源 |
A10 | SSRXn2 | 超高速差分信號
#2,RX,負(fù) |
B10 | SSTXn2 | 超高速差分信號
#2,TX,負(fù) |
A11 | SSRXp2 | 超高速差分信號
#2,RX,正 |
B11 | SSTXp2 | 超高速差分信號
#2,TX,正 |
A12 | GND | 接地 | B12 | GND | 接地 |
USB 4.0靜電防護(hù)要求
在選擇ESD(靜電放電)保護(hù)組件以適配USB 4.0高速接口時,需著重考慮以下幾個關(guān)鍵因素以確保高速信號的完整性和設(shè)備的安全性:
- 低電容特性:低電容有助于減少信號衰減和失真,從而確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾院头€(wěn)定性。
- 高ESD耐電壓能力:考慮到靜電放電可能帶來的潛在損害,ESD保護(hù)組件必須能夠承受較高的ESD電壓沖擊。
- 低鉗位電壓:較低的鉗位電壓表示在ESD事件發(fā)生時,保護(hù)器件能夠更有效地將電壓限制在安全范圍內(nèi),避免對后端電路造成損害。
回掃型ESD提供靜電防護(hù)
回掃特性ESD防護(hù)器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結(jié)電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS 防護(hù)效果更優(yōu),且不影響信號完整性,可更有效保護(hù)USB端口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)備加固防護(hù),提升消費(fèi)者使用體驗。
常規(guī)型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個較為線性的增長趨勢。而回掃型ESD器件在當(dāng)電壓達(dá)到VT1(觸發(fā)電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進(jìn)入一個介于工作電壓VRWM和VT1之間的較低電壓Vh。隨后,隨著電流的增加,電壓逐漸增大,但增長速度相比常規(guī)ESD較慢。其相較于常規(guī)ESD器件的優(yōu)點有:
- 更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低50%以上。這種低鉗位電壓有助于提前釋放能量,更有效地保護(hù)集成電路(IC)及整個電路的安全;
- 更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設(shè)備的功耗,實現(xiàn)更節(jié)能的設(shè)計;
- 更廣泛的應(yīng)用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更廣泛的領(lǐng)域,如低壓移動電子設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制等對ESD保護(hù)要求較高的場合。
通過對比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護(hù)方面具有更出色的性能和應(yīng)用前景。
應(yīng)用示例
高速差分信號線,支持高達(dá)40Gbps 的超高速USB接口和交替模式的數(shù)據(jù)傳輸。由于接口試圖在傳輸大量內(nèi)容時仍保持極高速度,因此選擇合適的ESD 防護(hù)器件至關(guān)重要。推薦用低結(jié)電容0.2PF,小體積CSP0603-2L 方便布線,深回掃,低鉗位電壓SEUCS2Z3V1B做靜電保護(hù),符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±15kV(接觸)下提供瞬變保護(hù),確保信號完整性。
- D+/D- 差分線
用于兼容USB 2.0接口,D+和D-引腳數(shù)據(jù)速率480Mbps,這對差分線上的電壓正常為3.3V,考慮線速推薦采用SELC2X5V1BT,低結(jié)電容0.3PF ,小體積DFN0603-2L方便布線,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±25(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護(hù),
- 總線電源VBUS
電源線,用于供電。考慮使用USB-PD滿足充電,推薦采用TDS平緩鉗位器件ESTVS2200DRVR做靜電浪涌防護(hù), DFN封裝,峰值電流27A,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
該TDS器件可用于PD接口防護(hù),一旦瞬態(tài)電壓攀升至超過集成精密觸發(fā)器所設(shè)定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發(fā)器即會立即啟動,激活與之相連的驅(qū)動電路。這一動作迅速使浪涌級FET由截止轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài),進(jìn)而將可能損害電路的巨大瞬態(tài)能量(IPP)引導(dǎo)并安全地釋放至地。
- Configuration Channel&Sideband use (SBU)
CC1、CC2:通信通道,用于識別連接設(shè)備和確定功率方向。SBU1、SBU2:輔助通道,可用于支持高速數(shù)據(jù)或其他功能。CC/SBU引腳緊挨著 VBUS 引腳。使用USB-PD的話,VBUS引腳電壓可以達(dá)到20V,這樣CC/SBU引腳容易短路到20V, 為了避免損壞,這兩個引腳推薦24V ESD SELC3D24V1BA進(jìn)行保護(hù)。
型號參數(shù)
型號 | 方向 | 工作電壓(V) | 電流
(A) |
鉗位電壓
(V) |
結(jié)電容
(pF) |
封裝 |
SEUCS2Z3V1B | Bi. | 3.3 | 9 | 5 | 0.2 | CSP0603-2L |
SEHC16F24V1UD | Uni. | 24 | 60 | 31 | 200 | DFN1610-2L |
SEUCS2Z24V1BA | Bi. | 24 | 9 | 8 | 0.4 | DFN0603 |
ESTVS2200DRVR | Uni. | 22 | 27 | 30.8 | 150 | DFN |
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 3.3 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.0 | 8.8 | 10.0 | V |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=3.3 | 1 | 100 | nA | |
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 1 | V | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=9A; tp=8/20us | 5 | V | ||
Clamping Voltage | VC | Ipp=16A,tlp=100ns | 6 | V | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=0V; f=1MHz | 0.2 | 0.25 | pF |
表1 SEUCS2Z3V1B電氣特性表
Part Number | VRWM (Max.) | VBR(Min.) | VCL@I=1A
(Typ.) |
IPP
(Max.) |
VCL@I=IPP
(Typ.) |
IR (Max.) | CO(Typ.) |
(V) | (V) | (V) | (A) | (V) | (uA) | (pF) | |
SEHC16F24V1UD | 24 | 25.5 | 30.0 | 60 | 31.0 | 1.0 | 200 |
表2 SEHC16F24V1UD電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
反向工作電壓 | VRWM | 22 | V | |||
反向擊穿電壓 | VBR | IT=1mA | 27.5 | V | ||
反向漏電 | IR | VRWM=22V | 1 | nA | ||
正向電壓 | VF | IT=1mA | 0.55 | V | ||
鉗位電壓 | VCL | IPP=9A; tp=8/20us | 28.4 | V | ||
VCL | IPP=27A; tp=8/20us | 30.8 | V | |||
導(dǎo)通電阻 | RDYN* | tp=8/20us | 96 | mΩ | ||
結(jié)電容 | CJ | VR=22V; f=1MHz | 150 | pF |
表3 ESTVS2200DRVR電氣特性表
總結(jié)與結(jié)論
由于USB 4.0接口在數(shù)據(jù)傳輸中的重要作用,保護(hù)USB 4.0接口免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI深淺回掃型單雙向系列ESD器件工作電壓涵蓋2.5~36V,電流涵蓋4~30A,0.1pF極低電容,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù)。同時ELECSUPER SEMI推出首款22V/40VTDS平緩鉗位器件可用于業(yè)內(nèi)USB 3.0接口、PD接口、工業(yè)機(jī)器人、IO-Link接口、工業(yè)傳感器和IIoT設(shè)備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網(wǎng)供電(PoE)的電源端口防護(hù),其擁有更強(qiáng)的防浪涌能力、更低的鉗位電壓可為電子器件提供更好的防護(hù)。