致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于意法半導體(ST)ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。
圖示1-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖
近年來,快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級,每一次技術的躍進都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標準的引入,更是為該行業(yè)的發(fā)展樹立了新的里程碑。該標準不僅將最大充電功率提升至240W,同時新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位,可為各種電子設備提供更加靈活、高效的充電方案。在此背景下,大聯(lián)大友尚基于ST-ONEHP器件推出140W USB PD3.1快充方案。
圖示2-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的實體圖
ST-ONEHP是ST-ONE系列數(shù)字控制器的一員,其采用新型非互補ACF控制和同步整流技術,內(nèi)置USB-PD 3.1 EPR協(xié)議,是全球首款搭載ARM Cortex M0+核心的嵌入式控制器,支持離線可編程控制和同步整流功能。該器件與USB PD PHY一體封裝,采用強化電流隔離的集成單片設計,能夠高效地控制ZVS非互補有源鉗位反激式轉換器。ST-ONEHP擁有最高4kV的瞬態(tài)電壓和800V的高壓啟動能力,并集成輸入電壓檢測和過壓/欠壓檢測功能,可提升電路安全性。
在設計中,ST-ONEHP與MasterGaN結合使用,可發(fā)揮更出色的效能。MasterGaN是一款封裝為9mm×9mm的電源產(chǎn)品,其內(nèi)置兩個GaN MOS和高壓驅動,相較于傳統(tǒng)Si MOS,具有優(yōu)越的熱性能和開關效率等優(yōu)勢。在本方案中,采用MasterGaN1產(chǎn)品,在有效優(yōu)化PCB的電路設計和體積的同時,提升充電體驗。
圖示3-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的方塊圖
除此之外,本方案還采用ST旗下高性能MOSFET STL36N60M6和PFC控制器L6563S,借助這些器件的優(yōu)勢,方案能夠協(xié)助廠商快速推出穩(wěn)定且具有高功率密度的快充產(chǎn)品,極大縮短開發(fā)周期并簡化BOM成本。
核心技術優(yōu)勢:
- 較少的外圍器件,集成32位Cortex M0+內(nèi)核、64kB Flash實現(xiàn)數(shù)字控制;
- 最大輸出功率140W、最高效率>94%;
- 高功率密度>25W/inch3;
- 內(nèi)置高壓啟動、X-CAP自放電線路和負載開關功能,各種安全保護線路;
- 具有強化電流隔離的集成單片。
方案規(guī)格:
- 輸入電壓范圍:90Vac~264Vac/47Hz~63Hz;
- PCB尺寸:85mm×55mm×23.5mm,(L×W×H);
- 輸出:SPR:5V@3.75A、9V@3.75A、15V@3.75A、20V@5A;
- EPR:28V@5A;
- AVS:15V~28V@5A with 100 mV step;
- USB PD 3.1 EPR認證。