全球三大存儲(chǔ)廠“你追我趕”

6月28日，美光科技宣布，公司成功收購力成西安資產(chǎn)。此次收購?fù)瓿捎欣诩訌?qiáng)美光科技封裝測(cè)試產(chǎn)能布局。

去年6月，美光宣布在西安的封裝測(cè)試工廠投資逾43億元人民幣，其中包括加建一座新廠房，引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，包括但不限于移動(dòng)DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測(cè)試能力。

同時(shí)，美光決定收購力成半導(dǎo)體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設(shè)備，向力成西安逾1200名全體員工提供新的就業(yè)合同，進(jìn)一步壯大人才隊(duì)伍與運(yùn)營(yíng)規(guī)模。

今年3月27日，美光西安新廠房奠基開工。新廠房預(yù)計(jì)將于2025年下半年投產(chǎn)，并根據(jù)市場(chǎng)需求逐步增產(chǎn)。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米（140萬平方英尺）。

內(nèi)存產(chǎn)能需求上升，三大廠加大馬力建廠

今年來，美光的建廠步伐較為明顯，除了布局西安產(chǎn)能，在美國(guó)地區(qū)方面，此前4月美光科技宣布，獲得美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》61億美元政府補(bǔ)助。這些撥款以及額外的州和地方激勵(lì)措施將支持美光在愛達(dá)荷州建設(shè)一個(gè)領(lǐng)先的DRAM存儲(chǔ)器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設(shè)兩座先進(jìn)DRAM存儲(chǔ)器制造工廠。據(jù)悉，美國(guó)政府補(bǔ)貼將支持美光計(jì)劃到2030年為美國(guó)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造，投資約500億美元的總資本支出。

其中，愛達(dá)荷州的工廠已于2023年10月開工，預(yù)計(jì)將于 2025年上線并投入運(yùn)營(yíng)，2026年正式開始DRAM的生產(chǎn)，DRAM產(chǎn)量也將隨著行業(yè)需求的增長(zhǎng)而不斷增加。

紐約州克萊鎮(zhèn)項(xiàng)目正在進(jìn)行初步設(shè)計(jì)、實(shí)地研究和包括NEPA在內(nèi)的許可申請(qǐng)，該座晶圓廠的建設(shè)預(yù)計(jì)將于2025年開始，并于2028年投產(chǎn)并貢獻(xiàn)產(chǎn)量，并根據(jù)未來十年的市場(chǎng)需求而增加。

日本地區(qū)，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，美光將斥資6000~8000億日元在日本廣島興建一座采用極紫外光(EUV)微影制程的先進(jìn)DRAM芯片廠，預(yù)計(jì)2026年初動(dòng)工、最快2027年底完工。根據(jù)報(bào)道，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于DRAM生產(chǎn)，不包括后端封裝和測(cè)試，并將重點(diǎn)放在HBM產(chǎn)品上。據(jù)悉，日本已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日元補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。

馬來西亞地區(qū)，美光在馬來西亞檳城的第二座智能（尖端組裝與測(cè)試）工廠于去年10月落成開業(yè)，該工廠初期投入了10億美元。在第一座工廠建成后，美光再加碼10億美元擴(kuò)建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴(kuò)充至150萬平方尺。

而近期據(jù)日經(jīng)亞洲引述知情人士透露，美光科技首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，滿足AI熱潮帶來的更多需求。該公司曾表示，目標(biāo)是到2025年將HBM（AI芯片的關(guān)鍵組件）的市場(chǎng)份額提高三倍以上，達(dá)到20%左右。

除了美光，據(jù)外媒消息，三星電子決定重啟新平澤工廠（P5）基礎(chǔ)建設(shè)，預(yù)計(jì)最快將于2024第三季重啟建設(shè)，完工時(shí)間推估為2027年4月，不過實(shí)際投產(chǎn)時(shí)間可能更早。

三星公司擔(dān)任副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，預(yù)計(jì)今年HBM產(chǎn)量將是去年的2.9倍。同時(shí)，該公司公布了HBM路線圖，預(yù)計(jì)2026年HBM出貨量將是2023年產(chǎn)量的13.8倍，到2028年，HBM年產(chǎn)量將進(jìn)一步增至2023年水平的23.1倍。

而SK海力士，公司于4月確定在印第安納州西拉斐特建設(shè)面向AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，印第安納工廠將從2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等面向AI的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

同時(shí)，該公司表示在龍仁半導(dǎo)體集群第一座工廠投產(chǎn)前需要擴(kuò)大生產(chǎn)能力（Capacity），因此決定在已經(jīng)確保用地的清州建設(shè)M15x，計(jì)劃在明年11月竣工后，從2026年第三季度正式投入量產(chǎn)

據(jù)介紹，M15x是一座雙層晶圓廠，總面積達(dá)6萬3000坪。其將具備包括EUV在內(nèi)的一站式HBM生產(chǎn)工藝，與正在擴(kuò)大TSV工藝生產(chǎn)能力的M15相鄰，可最大程度地提高HBM生產(chǎn)效率。

從三大廠的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)態(tài)來看，美光、三星、SK海力士的部署領(lǐng)域主要集中在內(nèi)存產(chǎn)能，三大廠的布局步伐“你追我趕”，旨在拓展產(chǎn)能，加強(qiáng)自身供應(yīng)能力，抓住市場(chǎng)冒出的新機(jī)遇。

2030年全球數(shù)據(jù)總量將增長(zhǎng)至660ZB，或帶飛AI應(yīng)用內(nèi)存技術(shù)

步入AI人工智能時(shí)代之后，全球產(chǎn)生的數(shù)據(jù)總量預(yù)計(jì)將從2014年的15ZB（Zetabyte，澤字節(jié)）增長(zhǎng)到2030年的660ZB。SK海力士表示，面向AI的存儲(chǔ)器收入比重也將大幅增加。HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲(chǔ)器在2023年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的占比約為5%(金額為準(zhǔn))，預(yù)計(jì)到2028年可以達(dá)到61%。

據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。

TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補(bǔ)庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機(jī)及CSPs仍具補(bǔ)庫存的空間，且將進(jìn)入生產(chǎn)旺季，因此預(yù)計(jì)智能手機(jī)及服務(wù)器將帶動(dòng)第三季存儲(chǔ)器出貨量放大。

而在HBM方面，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。TrendForce集邦咨詢預(yù)計(jì)，價(jià)格上，2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成；需求位元上，2024年的HBM需求位元年成長(zhǎng)率近200%，2025年可望將再翻倍。

此外，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，2025年隨著AI應(yīng)用完善、能處理復(fù)雜任務(wù)、提供更好的用戶體驗(yàn)并提高生產(chǎn)力，將帶動(dòng)消費(fèi)者對(duì)于更智能、更高效的終端設(shè)備需求迅速增長(zhǎng)，AI NB滲透率將快速成長(zhǎng)至20.4%的水位，預(yù)期AI NB浪潮亦將帶動(dòng)DRAM Content增長(zhǎng)。并預(yù)估，NB DRAM平均搭載容量將自2023年的10.5GB年增12%至2024年的11.8GB。展望2025年，隨AI NB滲透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將至少帶動(dòng)整體平均搭載容量增長(zhǎng)0.8GB，增幅至少為7%。