什么是肖特基接觸和歐姆接觸

肖特基接觸（Schottky contact）是指金屬與半導體材料相接觸時，在界面處半導體的能帶彎曲，形成一個勢壘，稱為肖特基勢壘。這個勢壘可以控制電子的流動，從而實現(xiàn)電流的整流和調制。由于功函數(shù)差導致界面處形成勢壘，使得電流電壓關系呈非線性。

金屬與N型半導體接觸時，若Wm＞Ws，半導體表面形成表面勢壘。在勢壘區(qū)，空間電荷主要由電離施主形成，電子濃度比體內小得多，是一個高阻區(qū)域，稱為阻擋層。界面處的勢壘通常稱為肖特基勢壘。

歐姆接觸（Ohmic contact）則是指金屬與半導體接觸時，接觸面的電阻很小，電流電壓關系呈線性，不產生明顯的附加阻抗。在歐姆接觸中，金屬與半導體之間沒有形成明顯的勢壘，電子可以自由地通過金屬和半導體。

反阻擋層接觸（歐姆接觸）

若Wm＜Ws，金屬與N型半導體接觸時，電子將從金屬流向半導體，在半導體表面形成付的空間電荷區(qū)，電場方向由表面指向體內，Vs＞0，能帶向下彎曲。這里電子濃度比體內大得多，因而是一個高導電的區(qū)域，稱之為反阻擋層。

肖特基接觸的形成機理是什么？

肖特基接觸的形成機理主要涉及以下幾個方面：

費米能級釘扎：當金屬與半導體接觸時，由于能帶結構的差異，電子會從能量較高的半導體流向能量較低的金屬。在半導體中留下正電中心，這種現(xiàn)象類似于pn結中的情況。費米能級的釘扎是肖特基勢壘形成的主要原因，而費米能級釘扎則源于界面新相的形成或界面極化鍵的存在。

界面層的影響：金屬與半導體之間的界面層會影響肖特基勢壘的高度（SBH）。界面層的存在使得SBH對功函數(shù)的依賴減弱，并且SBH與外加偏壓有關

多種因素的影響：除了費米能級釘扎和界面層外，其他因素如界面晶向、原子結構、化學鍵和結構不完整性等也會導致SBH的空間不均勻。

電荷流動：肖特基勢壘的變化與界面電荷流動密切相關。隨著層間距的增加，界面電荷轉移越來越弱，導致費米能級向上平移，從而影響肖特基勢壘的類型（由p型接觸向n型轉變）。

肖特基接觸的形成機理主要包括費米能級釘扎、界面層的影響以及多種因素的綜合作用。

歐姆接觸在不同材料之間的表現(xiàn)有何差異？

歐姆接觸在不同材料之間的表現(xiàn)存在顯著差異，主要體現(xiàn)在接觸電阻率、金屬選擇和退火條件等方面。

金屬與半導體的歐姆接觸：

在金屬Al和Ni與Si襯底上外延生長的p型Ge和n型Ge材料之間，歐姆接觸的比接觸電阻率較高，這制約了Si基Ge器件的性能。

對于p-GaN材料，由于難以獲得高空穴濃度的p-GaN和缺少合適的金屬體系，很難實現(xiàn)低比接觸電阻率的歐姆接觸。此外，不同厚度的Ni電極在不同退火溫度和氣氛下對p-GaN的歐姆接觸性能也有影響。

寬帶隙半導體的歐姆接觸：

在AlGaN、GaN等寬帶隙半導體上制備低電阻的歐姆接觸較為困難，因為這些材料的帶隙較窄，通常需要優(yōu)化退火工藝來改善接觸性能?？梢詤⒖嘉恼翯aN的歐姆接觸實驗

碳化硅（SiC）的歐姆接觸：

SiC材料中p型雜質的離化能比n型雜質的離化能高，優(yōu)質的p型SiC歐姆接觸更難于形成。傳統(tǒng)Al基金屬體系和非傳統(tǒng)Al基金屬體系在p型SiC材料上形成歐姆接觸的研究表明，選擇合適的金屬和優(yōu)化退火條件是關鍵。

其他材料的歐姆接觸：

石墨烯與金屬的歐姆接觸研究顯示，載流子從金屬進入石墨烯的過程復雜，且難以考慮半導體材料薄膜電阻的影響。

不同材料之間的歐姆接觸表現(xiàn)差異主要體現(xiàn)在接觸電阻率、金屬選擇和退火條件等方面。

如何測量和計算肖特基勢壘和歐姆接觸的特性？

測量和計算肖特基勢壘和歐姆接觸的特性可以通過以下幾種方法：

熱激活法：

熱激活法可以用來測定肖特基勢壘二極管的品質因子n和串聯(lián)電阻R。正確測量的條件包括檢查肖特基勢壘二極管的伏安特性

通過熱激活法還可以測定理查遜常數(shù)A和肖特基勢壘高度qφb。

電流-電壓（IV）特性曲線：

通過IV特性曲線可以確定平帶勢壘高度，進而計算出肖特基勢壘高度。

實驗中，將電流作為非線性函數(shù)進行擬合，可以得到非常接近實際情況的勢壘高度。

循環(huán)伏安法（CV法）：

CV法是一種常用的方法來測定肖特基勢壘高度。通過CV曲線，可以定義勢壘高度的一個簡單表達式：?bc=n?b0-(n-1)(?s+V2)，其中?b0是平帶勢壘高度，?s是表面態(tài)勢壘高度，V2是施加電壓。

原子分辨方法：

這種方法基于原子特定的部分態(tài)密度（pdos）計算，進一步實現(xiàn)了與電導測量一致的有效肖特基勢壘高度（sbh）的計算。這種方法可以用于研究金屬-半導體異質結處sbh的變化。

歐姆接觸電阻率的測量和計算：

測量和計算金屬-半導體歐姆接觸電阻率的方法包括矩形傳輸線模型、圓點傳輸線模型和多圓環(huán)傳輸線模型等。

圓形一般會比矩形傳輸線模型準確一些。

肖特基接觸與歐姆接觸在現(xiàn)代電子設備中的應用有哪些區(qū)別和聯(lián)系？

肖特基接觸與歐姆接觸在現(xiàn)代電子設備中的應用有顯著的區(qū)別和聯(lián)系。

從定義上看，肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸時，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘，導致大的界面電阻。這種接觸具有整流特性，即電流只能在一個方向上流動。相反，歐姆接觸是指在接觸處沒有或僅有非常小的勢壘，使得載流子可以自由流動，從而實現(xiàn)低電阻的導電路徑。歐姆接觸的理想狀態(tài)是電阻越小越好，這樣大部分電壓降會出現(xiàn)在活動區(qū)而不是接觸面。

在實際應用中，這兩種接觸方式的應用場景也有所不同。肖特基接觸由于其整流特性，常用于需要單向導電的場合，如二極管和整流器。而歐姆接觸則廣泛應用于需要高導電性的場合，如晶體管的源極和漏極之間的連接。

此外，肖特基接觸和歐姆接觸之間存在一定的聯(lián)系。例如，在某些二維材料中，很難形成固有的歐姆接觸，因此研究者常常采用肖特基接觸作為替代方案。同時，通過調控材料的費米能級位置，可以實現(xiàn)從肖特基接觸向歐姆接觸的過渡。

總之，肖特基接觸和歐姆接觸在現(xiàn)代電子設備中各有其獨特的應用場景和優(yōu)勢。肖特基接觸適用于需要整流特性的場合，而歐姆接觸則適用于需要高導電性的場合。

肖特基接觸和歐姆接觸對電路設計有哪些具體影響？

肖特基接觸和歐姆接觸對電路設計有顯著的不同影響。

肖特基接觸：

電流輸運機理：肖特基接觸的電流輸運主要通過熱電子發(fā)射（thermionic emission, TE）和熱電子場發(fā)射（thermoelectric field emission, TFE）機制進行。這些機制在光伏器件、高速集成電路和微波技術等領域中非常重要。

勢壘高度：肖特基接觸的勢壘高度對隧道電流的大小有重要影響。不同的金屬功函數(shù)會影響器件的伏安特性，例如功函數(shù)增加會導致漏極電流減小。

直接隧穿效應：在高溫、高頻、大功率等應用中，肖特基接觸的直接隧穿效應會顯著影響器件性能。

材料選擇：不同材料的肖特基接觸特性也有所不同，例如Cu與IGZO的肖特基接觸特性會隨AlOx隧穿層厚度變化而變化。

歐姆接觸：

電阻率：歐姆接觸的電阻率是設計中的一個關鍵參數(shù)。例如，在SiC MOSFET設計中，N型歐姆接觸電阻率低于1E-4mOhm·cm時，可以設計較窄的源極區(qū)而不增加器件導通電阻。

退火溫度：退火溫度對歐姆接觸性能有重要影響。溫度過高或過低都會導致電阻率的增加和電流的減小。

電壓降：歐姆接觸的電壓降遠小于器件任何作用區(qū)的電壓降，其電流-電壓特性在正反兩個方向偏置下都呈線性，這種非常小的電壓降的存在，對半導體器件特性的影響一般可以忽略。