加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長(zhǎng)期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

電壓變化與晶振性能的關(guān)系

05/28 15:38
1992
閱讀需 2 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

電子設(shè)備中,晶振作為時(shí)鐘源發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而,晶振的性能會(huì)受到多種因素的影響,其中之一就是電源電壓的變化。本文將探討電源電壓變化對(duì)晶振性能的影響,以及如何通過合理的電源管理和選擇合適的晶振類型來應(yīng)對(duì)這一問題。

電源電壓變化對(duì)晶振性能的影響

電源電壓的變化會(huì)影響晶振的頻率穩(wěn)定性。當(dāng)電源電壓上升時(shí),晶振的頻率可能會(huì)略有升高;當(dāng)電源電壓下降時(shí),頻率可能會(huì)略有降低。這種現(xiàn)象被稱為電源敏感度,通常以ppm/V(百萬分之一/伏特)來表示。需要注意的是,不同類型的晶振對(duì)電源電壓變化的敏感程度不同。一般而言,石英晶振的電源敏感度較低,而TCXO和OCXO等高精度晶振的電源敏感度較高。

晶振應(yīng)對(duì)策略

為了減小電源電壓變化對(duì)晶振性能的影響,可以采取以下措施:

1. 優(yōu)化電源管理

使用穩(wěn)定的電源管理方案,確保晶振工作時(shí)的電源電壓穩(wěn)定,以減小電源波動(dòng)對(duì)晶振性能的影響。

2. 選擇合適的晶振類型

根據(jù)對(duì)時(shí)鐘穩(wěn)定性的要求,選擇具有較低電源敏感度的晶振,如石英晶振。對(duì)于對(duì)時(shí)鐘精度要求較高的應(yīng)用,可以考慮使用TCXO或OCXO,并確保提供穩(wěn)定的電源。

3. 使用電源濾波器

在晶振的電源輸入端使用電源濾波器,以降低電源噪聲對(duì)晶振性能的影響。

總結(jié):電源電壓變化對(duì)晶振性能的影響是一個(gè)不容忽視的問題。通過合理的電源管理、選擇合適的晶振類型和使用電源濾波器等方法,可以有效減小電源電壓變化對(duì)晶振性能的影響。

推薦器件

更多器件
器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
0533980671 1 Molex Board Connector, 6 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, ROHS AND REACH COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.89 查看
B82494-G1104-K 1 TDK Corporation General Purpose Inductor, 100uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1008,
暫無數(shù)據(jù) 查看
IPP65R190CFDXKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
$5.96 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜