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    • ?01、臺(tái)積電受益頗多
    • ?02、越來越貴,臺(tái)積電也發(fā)愁
    • ?03、美國攪局
    • ?04、拋售ASML股份
    • ?05、EUV市場(chǎng)變動(dòng),中國有可為
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EUV光刻機(jī)變數(shù)陡增

05/27 09:10
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作者:暢秋

最近,關(guān)于EUV光刻機(jī),又有勁爆消息傳出。

據(jù)外媒報(bào)道,有消息人士透露,由于美國施壓,ASML向荷蘭政府官員保證,在特殊情況下,該公司有能力遠(yuǎn)程癱瘓(remotely disable臺(tái)積電使用的EUV光刻機(jī)。知情人士稱,ASML擁有“鎖死開關(guān)”(kill switch),可以遠(yuǎn)端強(qiáng)制關(guān)閉EUV。

針對(duì)這一消息,有專家表示,遠(yuǎn)程癱瘓或關(guān)閉EUV,技術(shù)上是可行的。由于全球90%的先進(jìn)制程(7nm及以下)芯片都是在中國臺(tái)灣生產(chǎn)制造的,因此,遠(yuǎn)程癱瘓EUV光刻機(jī)的消息在行業(yè)掀起了不小的波瀾。

ASML是唯一一家有能力制造EUV設(shè)備的廠商,過去幾年里,每年可生產(chǎn)約40臺(tái)這樣的設(shè)備。今年2月,該公司財(cái)務(wù)長Roger Dassen在接受采訪時(shí)表示,計(jì)劃2024年把產(chǎn)量提高到約60臺(tái),而一臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格高達(dá)2.3億美元,這還只是新設(shè)備初代版本的價(jià)格,之后的更新版本會(huì)更貴。

?01、臺(tái)積電受益頗多

多年來,臺(tái)積電是EUV設(shè)備的最大買家,也因?yàn)橛辛诉@些設(shè)備,使其不斷鞏固著晶圓代工龍頭一哥的地位,特別是在先進(jìn)制程方面,臺(tái)積電積累了豐富的技術(shù)、工藝和經(jīng)驗(yàn),使其能夠越來越從容、靈活地使用EUV光刻機(jī),以提高生產(chǎn)率,并盡量降低使用成本。2019年,臺(tái)積電擁有全球42%的EUV光刻機(jī)安裝量,2020年則增加到了50%。

近幾年,雖然三星和英特爾不斷增加EUV設(shè)備購買量,臺(tái)積電安裝量的全球占比依然在上升,目前約為56%,到2024年底,該晶圓代工龍頭的EUV光刻機(jī)數(shù)量有望比2019年增長10倍。現(xiàn)在,臺(tái)積電采用EUV設(shè)備生產(chǎn)的晶圓數(shù)量是2019年的30倍,與增加10倍的光刻機(jī)數(shù)量相比,其產(chǎn)量增長更為可觀,這凸顯出該龍頭廠商在經(jīng)過多年的使用和積累后,能夠不斷提高EUV的生產(chǎn)效率、縮短維修時(shí)間并減少總體停機(jī)時(shí)間。

EUV光刻系統(tǒng)的耗電量是非常大的,臺(tái)積電通過未公開的節(jié)能技術(shù),成功地將EUV光刻機(jī)的功耗降低了24%,該公司計(jì)劃在2030年前將每臺(tái)EUV設(shè)備的單位晶圓能效提高1.5倍。

?02、越來越貴,臺(tái)積電也發(fā)愁

雖然EUV光刻機(jī)是個(gè)好東西,特別是對(duì)于7nm以下的先進(jìn)制程來說,它是不可或缺的,但是,隨著系統(tǒng)越來越復(fù)雜,這些設(shè)備的價(jià)格越來越昂貴,即使是臺(tái)積電這樣的龍頭企業(yè),也不能再像以前那樣任意購買了。

最近,臺(tái)積電高級(jí)副總裁Kevin Zhang在阿姆斯特丹的一個(gè)技術(shù)研討會(huì)上表示,新的high-NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)成本非常高,短期內(nèi)不考慮采用。ASML推出的這款最新EUV光刻機(jī)可以8nm的分辨率刻印集成電路,然而,這一堪稱“人類科技巔峰”的設(shè)備,每臺(tái)耗資高達(dá)3.5億歐元(約3.8億美元),重量則相當(dāng)于兩架空客A320,運(yùn)輸和裝配非常復(fù)雜。

與ASML生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)款EUV光刻機(jī)相比,新的high-NA EUV設(shè)備的最大特點(diǎn)就是使用了更大的數(shù)值孔徑,high-NA EUV采用0.55NA鏡頭,能夠?qū)崿F(xiàn)8nm級(jí)別的分辨率,而標(biāo)準(zhǔn)EUV使用的是0.33NA鏡頭。因此,這種新產(chǎn)品能夠在晶圓上刻印出更小的特征尺寸,它對(duì)于2nm及以下制程芯片研發(fā)和生產(chǎn)至關(guān)重要。

然而,不斷上升的成本使得3nm及以下制程芯片制造進(jìn)程變得更加困難。臺(tái)積電的KevinZhang表示,該公司的A16制程(1.6nm)將于2026年底推出,但不會(huì)使用high-NA EUV光刻機(jī),可以繼續(xù)依賴臺(tái)積電舊款的EUV設(shè)備。他表示:“我喜歡high-NA EUV的性能,但是否使用它將取決于它在哪個(gè)層面最具經(jīng)濟(jì)意義,以及我們能夠?qū)崿F(xiàn)的技術(shù)平衡。”“經(jīng)營一家大型芯片制造工廠的成本,包括建筑、設(shè)備、工具、電力和原材料等,而這些一直在上漲。這是整個(gè)行業(yè)所面臨的共同挑戰(zhàn)”,Kevin Zhang說。

?03、美國攪局

近些年,美國在大力發(fā)展本土的芯片制造業(yè),特別是先進(jìn)制程工藝技術(shù)。為此,美國政府推出了多項(xiàng)扶持本土企業(yè)的優(yōu)惠政策,以及資金支持,受惠最大的就是英特爾。在美國政府高額補(bǔ)貼的支持下,英特爾正在大舉進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng),為了奪回曾經(jīng)不可動(dòng)搖的芯片制造技術(shù)優(yōu)勢(shì),該公司將更多的資源放在了EUV光刻機(jī)上,成為了該消費(fèi)市場(chǎng)的頭號(hào)玩家。

2023年12月,ASML表示,已開始向英特爾交付第一臺(tái)High-NA EUV系統(tǒng)的主要部件,被運(yùn)往了英特爾位于俄勒岡州的D1X工廠,該公司在去年的一份聲明中表示,D1X是開發(fā)和完善其未來芯片制造技術(shù)的關(guān)鍵設(shè)施。英特爾CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)曾表示,他的公司將獲得第一臺(tái)這種新型設(shè)備,以表明其重返芯片制造技術(shù)最前沿的決心。Oddo BHF分析師在一份報(bào)告中表示,ASML的第一款高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備名為Twinscan EXE:5200,售價(jià)約為2.5億歐元(2.75億美元)。

分析師在與該公司會(huì)面后表示,第二代高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備稱為EXE:5200B,將具有更高的生產(chǎn)率,其價(jià)格將超過3.5億歐元。在獲得Twinscan EXE:5200之前,英特爾購買了EXE:5000,該公司使用它來學(xué)習(xí)如何更好地使用High-NA EUV設(shè)備,并用于18A制程工藝技術(shù)研發(fā),積累經(jīng)驗(yàn)。英特爾計(jì)劃從 2025年開始使用Twinscan EXE:5200量產(chǎn)18A制程芯片。

由于高數(shù)值孔徑與低數(shù)值孔徑光刻機(jī)有許多不同之處,需要對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行大量更改,因此,在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前部署Twinscan EXE:5200對(duì)英特爾來說是一個(gè)優(yōu)勢(shì)。一方面,該公司有足夠的時(shí)間來調(diào)整其18A工藝技術(shù),另一方面,可以調(diào)整High-NA基礎(chǔ)設(shè)施。這些會(huì)使英特爾比臺(tái)積電和三星更具優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉,2024年,ASML將生產(chǎn)10臺(tái)High-NA EUV設(shè)備,英特爾將獲得其中的6臺(tái)。除了英特爾,三星也在尋求獲得高數(shù)值孔徑EUV,三星電子副董事長兼設(shè)備解決方案部門負(fù)責(zé)人Kyung Kye-hyun表示,該公司與ASML就采購高數(shù)值孔徑EUV達(dá)成了協(xié)議。“三星已經(jīng)確保了獲得高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)”,Kyung Kye-hyun說:“我相信,從長遠(yuǎn)來看,我們創(chuàng)造了一個(gè)機(jī)會(huì),可以優(yōu)化高數(shù)值孔徑技術(shù)在DRAM和邏輯芯片生產(chǎn)中的使用。”

?04、拋售ASML股份

12年前,ASML為了維持運(yùn)營,發(fā)行了有限投票權(quán)的股票給三大客戶。2012年8月~9月,英特爾、三星、臺(tái)積電一共投資了65億美元給ASML,其中英特爾持有超過15%的股份,三星持有3%,臺(tái)積電持有5%。后來,ASML的股價(jià)一路狂飚,三星、臺(tái)積電、英特爾不斷減持ASML的股份套現(xiàn),雖然減持,卻還是保留了一部分,因?yàn)橛辛斯蓶|身份,有利于爭(zhēng)奪EUV光刻機(jī)。不過,2024年2月,有媒體報(bào)道稱,三星已經(jīng)將所持ASML的所有剩余股份賣光了,套現(xiàn)65億元人民幣。三星表示,要將套現(xiàn)的這筆錢,用于半導(dǎo)體工藝技術(shù)升級(jí)。

事實(shí)上,臺(tái)積電也基本將ASML的股份賣光了,只有英特爾還留有一點(diǎn)點(diǎn),但也非常少,幾乎可以忽略了。為何這三家大廠都選擇拋售ASML的股份呢?一方面,自然是因?yàn)橥顿Y賺到了大錢,當(dāng)初的投資到現(xiàn)在至少賺了10倍。

另外,現(xiàn)在的EUV光刻機(jī),似乎沒以前那么香了,首先是ASML的產(chǎn)能提升了不少,不必像以前那么去搶了(High-NA EUV除外),同時(shí),ASML的EUV光刻機(jī),升級(jí)換代越來越難了,ASML之前表示,0.55 NA之后,很難再升級(jí),也許是最后一代了,要升級(jí)可能也要到2030年了。再有,硅基芯片已經(jīng)發(fā)展到物理極限了,進(jìn)步越來越難,后續(xù)可能會(huì)是光電芯片、碳基芯片、量子芯片等等,EUV光刻機(jī)的行業(yè)地位和前途并不像以前那么明朗了。

?05、EUV市場(chǎng)變動(dòng),中國有可為

近些年,由于美國施壓,ASML不能把EUV光刻機(jī)賣給中國大陸晶圓廠。2024年1月,ASML公司證實(shí),為遵從美國的管制措施,荷蘭政府吊銷了2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i DUV(深紫外線)光刻系統(tǒng)出口許可證,影響了中國客戶。

NXT:2050i是一款高生產(chǎn)率、雙級(jí)浸潤式DUV光刻機(jī),專為在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)上批量加工12英寸晶圓而設(shè)計(jì),NXT:2100i則是NXT:2050i的后續(xù)產(chǎn)品,配備了新的投影光學(xué)調(diào)節(jié)系統(tǒng)。過去數(shù)年中,中國大陸是ASML的全球第三大市場(chǎng),僅次于中國臺(tái)灣和韓國。

在2023年第三季度,中國大陸成了ASML光刻機(jī)最大出口市場(chǎng),占到其銷售總量的46%。ASML前任CEO溫尼克(Peter Wennink)在2023年10月對(duì)投資者表示,來自美國的限制措施將影響到該企業(yè)約15%的對(duì)華銷售份額。

今年4月,美國政府再度向荷蘭施壓,要求ASML限制對(duì)中國大陸部分設(shè)備提供服務(wù)。溫尼克曾公開反對(duì)美國的限制措施,并警告說,這些限制會(huì)刺激中國開發(fā)新技術(shù),對(duì)ASML構(gòu)成競(jìng)爭(zhēng)。他曾在接受媒體采訪時(shí)說:“你給他們施加的壓力越大,他們就越有可能加倍努力。”確實(shí)如溫尼克所說,限制會(huì)激發(fā)潛能。

以2023年8月華為推出的Mate 60系列手機(jī)為例,當(dāng)時(shí),可以說震驚了全球半導(dǎo)體業(yè),業(yè)內(nèi)都在討論用DUV設(shè)備制造先進(jìn)制程芯片的話題,而這些芯片原本是需要用到EUV設(shè)備的。其實(shí),用DUV設(shè)備制造先進(jìn)制程芯片,比使用EUV更復(fù)雜,例如,需要通過增加CVD層spacer實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn),以及四次曝光疊加才能完成第一層:Fin,精度要1nm左右,光是首層多重曝光就大幅提高了光刻成本,3~4個(gè)光罩加上四次浸沒光刻,復(fù)雜且反復(fù)的光刻必將導(dǎo)致良率下降,這些都是成本啊。

不過,有得就有失,在沒有EUV光刻機(jī)的情況下,能夠利用DUV設(shè)備制造出先進(jìn)制程芯片,而且用時(shí)比人們想象的要短,已經(jīng)很厲害了。梁孟松先生在2020年辭職信里提到,3年多完成先進(jìn)制程工藝研發(fā)的三級(jí)跳,依靠的不是EUV設(shè)備,而是工程師們?cè)诰A廠的know-how上面,做出了奇跡般的貢獻(xiàn)和傳遞。在全球EUV光刻機(jī)市場(chǎng)出現(xiàn)較大變局的當(dāng)下(臺(tái)積電不再依賴于最貴的新設(shè)備,美國和英特爾攪局,三大晶圓廠拋售ASML股份,以及ASML有能力遠(yuǎn)程癱瘓臺(tái)積電EUV設(shè)備),中國可以有更多作為。

據(jù)悉,臺(tái)積電將在2025年投入量產(chǎn)的2nm芯片,可能不再采用EUV激光,而是下一代技術(shù)PUV,也被稱為軟X射線技術(shù),這是一種波長為6.5nm的鈮激光技術(shù),PUV設(shè)備是科學(xué)家用于拍攝原子化學(xué)物理現(xiàn)象的工具。據(jù)悉,該技術(shù)最初是由IBM研發(fā)的,美國工藝戰(zhàn)略研究報(bào)告認(rèn)為,這是美國超越臺(tái)積電的重要機(jī)會(huì)。在研發(fā)EUV光刻機(jī)的同時(shí),中國也應(yīng)該關(guān)注PUV的發(fā)展,并在必要時(shí)給予資源傾斜。

EUV光刻機(jī)解決的是芯片內(nèi)部的性能和速度問題,而芯片與芯片之間的連接和通信也非常重要,芯片運(yùn)行速度再快,也會(huì)受到芯片間信息傳輸?shù)南拗疲@一點(diǎn),近些年業(yè)界大廠越來越重視,例如,英偉達(dá)正在研發(fā)各種光傳輸技術(shù),用于串聯(lián)超級(jí)人工智能模型的大腦。在全球EUV市場(chǎng)出現(xiàn)較大變化的當(dāng)下,中國可以多管齊下,盡量做更多的技術(shù)研發(fā)和儲(chǔ)備,以便能夠應(yīng)對(duì)將來出現(xiàn)的更大技術(shù)和市場(chǎng)變革。

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