加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推薦器件
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器

05/22 17:21
1418
閱讀需 5 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

新型驅(qū)動(dòng)器可提供量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,將開關(guān)損耗降至最低,并增強(qiáng)dV/dt抗擾性能

Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。

IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動(dòng)器的工作電壓范圍(VDD - VSS)高達(dá)35V,具有出色的靈活性和性能。

IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負(fù)電荷泵調(diào)節(jié)器,無需外部輔助電源設(shè)備或DC/DC轉(zhuǎn)換器。 該功能對于關(guān)斷SiC MOSFET尤其實(shí)用,可以節(jié)省外部邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL或CMOS邏輯電平兼容,進(jìn)一步增強(qiáng)了節(jié)省空間的能力。

IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET,例如:

卓越的性能使其成為電動(dòng)汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動(dòng)化市場中要求苛刻的電力電子應(yīng)用的理想選擇。

憑借其全面的功能,IX4352NE簡化了電路設(shè)計(jì)并提供了更高的集成度。 內(nèi)置保護(hù)功能,如帶軟關(guān)斷灌電流驅(qū)動(dòng)器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)和熱關(guān)斷(TSD)等,可確保功率器件和柵極驅(qū)動(dòng)器得到保護(hù)。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號,增強(qiáng)了安全性和可靠性。 此外,IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度,有助于提高整體系統(tǒng)效率。

對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進(jìn)包括:

  • 由DESAT啟動(dòng)的安全軟關(guān)斷。
  • 高閾值精度熱關(guān)斷。
  • 電荷泵在熱關(guān)斷期間的工作能力。

新款I(lǐng)X4352NE與引腳兼容,可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)于2020年發(fā)布。

“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展了我們廣泛的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器系列,簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動(dòng)電路?!盠ittelfuse集成電路部(SBU)產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示, “其各種內(nèi)置保護(hù)功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)電壓,能提高dV/dt抗擾度和關(guān)斷速度。 因此,該產(chǎn)品可以用來驅(qū)動(dòng)任何SiC MOSFET或功率IGBT,無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?!?/p>

供貨情況

IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器以每管50只的管裝形式供貨,也可以卷帶封裝形式供貨,起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。

推薦器件

更多器件
器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級 參考價(jià)格 更多信息
ETQP4M220YFP 1 Panasonic Electronic Components General Purpose Inductor,

ECAD模型

下載ECAD模型
$1.45 查看
SZMMSZ10T1G 1 onsemi 500 mW; 5% Zener?Diode?Voltage Regulator 10 V, SOD-123 2 LEAD, 3000-REEL
$0.44 查看
GCM188R71H103KA37D 1 Murata Manufacturing Co Ltd Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.01uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT

ECAD模型

下載ECAD模型
$0.01 查看

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜