FC2012AN系列32.768K晶體專為小尺寸、低ESR應(yīng)用設(shè)計(jì)

在可穿戴設(shè)備、IoT產(chǎn)品、無線通信模塊等領(lǐng)域，對于小型化、低功耗和高精度的時(shí)鐘需求日益增長。Epson推出的FC2012AN系列晶體單元憑借其小尺寸、低ESR等特性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

FC2012AN系列是一款32.768K頻率的晶體單元，頻率偏差為 ±20 x 10-6（25°C±5°C工作溫度范圍內(nèi)），低的頻率偏差保證了時(shí)間的準(zhǔn)確性。封裝尺寸為2.05mmx1.2mm，最大厚度僅為0.6 mm，使其在空間受限的便攜式設(shè)備中易于集成。此外，F(xiàn)C2012AN能夠在-40°C~+105°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，可適用于多變的工業(yè)環(huán)境條件。
下圖為FC2012AN晶體詳細(xì)規(guī)格參數(shù)：

小尺寸、低ESR

ESR值是晶體振蕩損耗的電氣參數(shù)指標(biāo)。如果晶體在振蕩期間損耗較小，ESR 值也較低。如果ESR 值太高，表明晶體具有較高損耗且振蕩電路就會(huì)變得不穩(wěn)定并可能停止振蕩。也就是說ESR值越低，晶體啟動(dòng)和穩(wěn)定性就越好。

在晶體制造過程中，由于材料和設(shè)計(jì)等因素，使得封裝越小ESR越大，這兩個(gè)參數(shù)是矛盾的。Epson根據(jù)多年工藝和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，推出FC2012AN晶體單元可以很好平衡小封裝和低ESR兩參數(shù)。 FC2012AN尺寸僅有2.05mm x 1.2mm x 0.6mm，易于集成，不僅減少了PCB占用面積也降低了整機(jī)設(shè)備體積和重量，非常適用于對空間有嚴(yán)格限制的可穿戴設(shè)備或移動(dòng)電子設(shè)備。
在-40℃ ~+85℃溫度下ESR最大值為50kΩ，Epson 同封裝FC-12M系列晶體在該溫度范圍內(nèi)ESR最大值為90kΩ。由此可見，F(xiàn)C2012AN系列晶體ESR降低了44%左右，穩(wěn)定性更優(yōu)。下圖為FC2012AN晶體在不同溫度下的ESR曲線：

多種負(fù)載電容值可供選擇

負(fù)載電容CL指連接到晶體上的終端電容，終端電容包括：外部電容CL1和CL2、印刷電路板上的雜散電容(Cs)。CL的值是晶體廠商決定的，F(xiàn)C2012AN提供7pF、9pF、12.5pF多種負(fù)載電容選擇，可擴(kuò)展不同的應(yīng)用場景。

當(dāng)晶體外部等效電容等于負(fù)載電容CL時(shí)，晶體輸出的頻率最準(zhǔn)確。CL=（CL1//CL2）+CS即：CL=[（CL1xCL2）/（CL1+CL2）]+CS， 一般CL1和CL2取值相同。
以12.5pF負(fù)載電容為例，雜散電容一般為2~5pF。假設(shè)雜散電容2.5pF，根據(jù)公式可以計(jì)算CL1=CL2=20pF，即晶體外部需要連接2顆20pF的電容。
環(huán)境與質(zhì)量管理

Epson對FC2012AN晶體的生產(chǎn)過程實(shí)施了ISO 14001和ISO 9001的嚴(yán)格管理，產(chǎn)品不含鉛且符合歐盟RoHS指令，在環(huán)保和質(zhì)量上都得到了嚴(yán)格保證。不僅體現(xiàn)了Epson對環(huán)境保護(hù)的承諾，也保證了FC2012AN的高性能和可靠性。

綜上， FC2012AN晶體是Epson在精密電子組件領(lǐng)域的創(chuàng)新之作，它將小尺寸低ESR集于一身為電子設(shè)計(jì)提供了一個(gè)高效穩(wěn)定且環(huán)保的時(shí)鐘解決方案。

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