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NIV3071 eFuse 在汽車應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

04/23 08:35
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簡(jiǎn)介

汽車電氣化推動(dòng)了電子保險(xiǎn)絲“eFuse”取代機(jī)械繼電器熔斷器,以實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的解決方案。NIV3071 eFuse 可保護(hù)下游電路免受過流、過溫和接地短路事件的影響,并可通過開漏 FAULT 引腳提供故障指示器。該器件具有四個(gè)集成高側(cè)通道,可以通過 EN 引腳獨(dú)立控制,也可以并聯(lián)在一起以用于更大的負(fù)載。該器件具有可配置的電流限制功能和導(dǎo)通時(shí)間,可支持多種負(fù)載。

汽車應(yīng)用中的 NIV3071

在汽車應(yīng)用中使用 NIV3071 有幾個(gè)優(yōu)勢(shì)。該器件采用 6x5 mm 封裝,與機(jī)械繼電器和熔斷器等傳統(tǒng)解決方案相比,大大減少了所需的電路板面積。與這些傳統(tǒng)解決方案相比,eFuse 在發(fā)生故障時(shí)無需更換,因?yàn)槠浔Wo(hù)功能將同時(shí)保護(hù)器件和負(fù)載,從而在整個(gè)車輛中實(shí)現(xiàn)分布式區(qū)域控制架構(gòu)。該器件有兩個(gè)版本:鎖存型和自動(dòng)重試型。如果發(fā)生故障,鎖存器件將鎖閉,直到通過切換 EN 引腳或功率循環(huán)發(fā)送命令為止。自動(dòng)重試器件將等待 3 ms,如果進(jìn)入熱關(guān)斷保護(hù),則會(huì)等待足夠冷卻芯片的時(shí)間,然后再嘗試重新導(dǎo)通。

與傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲相比,NIV3071 的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是在發(fā)生故障時(shí),其短路響應(yīng)時(shí)間非常快,僅為 6 s。與圖 1 所示的傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲相比,這分別降低了峰值電流和功耗,對(duì)任何相關(guān)線束的峰值電流和額定功率都有益。此外,快速響應(yīng)時(shí)間可防止輸入電源電壓驟降,從而保護(hù)任何安全攸關(guān)的負(fù)載以及使用同一電源的其他負(fù)載,如圖 2 所示。

圖 1.左側(cè)插片式保險(xiǎn)絲,中心 PTC,右側(cè) NIV3071 eFuse

圖 2.同一電源上有多個(gè) eFuse

NIV3071 由四個(gè)集成通道組成,可以獨(dú)立驅(qū)動(dòng),也可以并聯(lián)在一起,以提供更多負(fù)載電流,如圖 3 所示。輸入可以由不同的電源或公共電源供電。憑借這種靈活性,NIV3071 可以通過同一器件輕松支持 48 V 和 12 V 負(fù)載。這在汽車應(yīng)用中非常有利,因?yàn)橥ㄟ^一個(gè)器件即可保護(hù) ECU(電子控制單元)中的 48 V 和 12 V 負(fù)載。

圖 3.NIV3071 的配置

該器件應(yīng)與穩(wěn)壓電源搭配使用。由于該器件具有 UVLO 功能且無反向電流保護(hù),因此不建議用在需要冷啟動(dòng)和拋負(fù)載(負(fù)載突降)的其他汽車應(yīng)用。

動(dòng)態(tài)特性和注意事項(xiàng)

導(dǎo)通時(shí)序 NIV3071 具有受控導(dǎo)通功能,可以通過導(dǎo)通延遲時(shí)間 (Tdly(On)) 和導(dǎo)通時(shí)間 (tRAMP(On)) 進(jìn)行描述,如圖 4 所示:

圖 4.NIV3071 的導(dǎo)通時(shí)序

導(dǎo)通延遲時(shí)間定義為 EN 引腳達(dá)到其最大值的 90% 到輸出端達(dá)到標(biāo)稱電壓的 10% 之間的時(shí)間。導(dǎo)通時(shí)間定義為輸出端達(dá)到標(biāo)稱電壓的 10% 至 90% 之間的時(shí)間。如果 EN 引腳上出現(xiàn)任何瞬時(shí)電壓尖峰,或者微控制器在加電時(shí)發(fā)送正確邏輯信號(hào)略有延遲,則導(dǎo)通延遲時(shí)間會(huì)用作去毛刺濾波器,以確保在預(yù)期導(dǎo)通時(shí)間安全啟動(dòng)負(fù)載。

導(dǎo)通時(shí)間功能可以通過外部電容進(jìn)行配置。要正確使用導(dǎo)通時(shí)間功能,必須考慮負(fù)載類型。雖然對(duì)于容性負(fù)載來說,增加導(dǎo)通時(shí)間有助于減少浪涌電流尖峰,但對(duì)于阻性負(fù)載,隨著輸出電壓上升,消耗的電流將持續(xù)增加。由于該直流電流和延長(zhǎng)的輸出導(dǎo)通時(shí)間會(huì)導(dǎo)致在器件上產(chǎn)生電壓梯度,器件將消耗大量功率,并可能在器件完全導(dǎo)通之前進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)以保護(hù)芯片。這取決于輸入電壓、輸出電壓導(dǎo)通時(shí)間、負(fù)載電流曲線和環(huán)境溫度。

浪涌電流控制

NIV3071 和安森美 (onsemi) 的其他 eFuse 具有浪涌電流控制功能,可限制導(dǎo)通容性負(fù)載時(shí)出現(xiàn)的峰值電流。該功能由一個(gè)外部引腳控制,該引腳可以保持開路,或者在 dvdt 引腳和地之間使用一個(gè)較小值的陶瓷電容。通過向該引腳添加電容,可以延長(zhǎng)輸出導(dǎo)通時(shí)間,從而降低峰值電流,可以表示為:

以下關(guān)系式可用于控制給定 Cload 下的峰值電流:

圖 5.導(dǎo)通時(shí)間與 dv/dt 引腳電容的關(guān)系

使用上述公式和圖 5,用戶可以設(shè)置導(dǎo)通容性負(fù)載時(shí)的最大浪涌電流。下面的圖 6 和圖 7 提供了一個(gè)測(cè)試用例:

圖 6.浪涌電流控制測(cè)試用例

圖 7.測(cè)試用例的測(cè)量結(jié)果

大容性負(fù)載和肖特基二極管

對(duì)于較大的容性負(fù)載(和低電流直流負(fù)載),可以在輸出和輸入之間放置一個(gè)肖特基二極管,如圖 8 所示,以在器件關(guān)斷時(shí)保護(hù) eFuse 的體二極管免受過大反向電流的影響。一旦輸入電壓降至 UVLO 以下,器件就會(huì)關(guān)斷,由于輸出電容在完全放電之前維持輸出電壓,這會(huì)在器件上產(chǎn)生反向電壓。與此同時(shí),負(fù)電壓對(duì)肖特基二極管進(jìn)行偏置,提供了在器件周圍放電的路徑,如圖 9 中的測(cè)量結(jié)果所示。

圖 8.使用肖特基二極管防止反向電流情況

圖 9.測(cè)量流經(jīng)器件和外部肖特基二極管的電流

關(guān)閉感性負(fù)載

在輸出端發(fā)生接地短路或過流故障事件期間,NIV3071 可快速關(guān)斷以同時(shí)保護(hù)器件和下游電路。如果電源路徑中存在很大的電感(例如電纜),則快速關(guān)斷將導(dǎo)致電壓尖峰超過器件的額定電壓。為了緩解這些電壓尖峰,可以使用多種選項(xiàng)??梢栽谳斎牒徒拥囟酥g放置一個(gè) TVS 二極管,而肖特基二極管可以作為續(xù)流二極管與負(fù)載并聯(lián)放置。此外,RC 緩沖電路可與負(fù)載并聯(lián)使用。如果具體應(yīng)用中的預(yù)期電感超過 5 uH,則強(qiáng)烈建議使用外部肖特基二極管或緩沖器

總結(jié)

隨著汽車市場(chǎng)的電氣化趨勢(shì)不斷升級(jí),且 48 V 系統(tǒng)越來越普及,NIV3071 在汽車應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)

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歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購(gòu)紀(jì)錄2000年四月,完成收購(gòu)Cherry Semiconductor。2006年,完成收購(gòu)位于美國(guó)俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購(gòu)美國(guó)模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購(gòu)AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購(gòu)Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購(gòu)PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購(gòu)California Micro Devices。2010年六月,完成收購(gòu)Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購(gòu)日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購(gòu)賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購(gòu)Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會(huì)津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購(gòu)總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲(chǔ)器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲(chǔ)器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號(hào)管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國(guó):上海德國(guó):慕尼黑中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北美國(guó):加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國(guó):首爾設(shè)計(jì)中心美國(guó):亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國(guó):圖盧茲(Toulouse)德國(guó):慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國(guó):首爾中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國(guó):亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國(guó):樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國(guó):富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購(gòu)紀(jì)錄2000年四月,完成收購(gòu)Cherry Semiconductor。2006年,完成收購(gòu)位于美國(guó)俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購(gòu)美國(guó)模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購(gòu)AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購(gòu)Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購(gòu)PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購(gòu)California Micro Devices。2010年六月,完成收購(gòu)Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購(gòu)日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購(gòu)賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購(gòu)Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會(huì)津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購(gòu)總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲(chǔ)器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲(chǔ)器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號(hào)管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國(guó):上海德國(guó):慕尼黑中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北美國(guó):加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國(guó):首爾設(shè)計(jì)中心美國(guó):亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國(guó):圖盧茲(Toulouse)德國(guó):慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國(guó):首爾中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國(guó):亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國(guó):樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國(guó):富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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