4家SiC相關企業(yè)獲融資

近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內又有4家SiC相關企業(yè)獲得融資：

新瀝半導體：完成A輪融資，已量產1200V 80毫歐碳化硅MOS；

矽迪半導體：完成數千萬天使輪融資，將新建試產線工廠；

盈鑫半導體：完成天使輪投資，加速CMP進口替代；

蓋澤科技：完成數千萬融資，SiC設備已量產交付。

新瀝半導體：碳化硅MOS已量產

3月6日，據天眼查透露，上海新瀝半導體技術有限公司已完成A輪融資，投資方為臨芯投資，融資金額未披露。

企查查顯示，新瀝半導體成立于2023年12月，注冊資本為1000萬，專注于功率半導體芯片的設計領域，團隊憑借多年的專業(yè)經驗和技術積累，采用獨有的配方和領先的技術開發(fā)創(chuàng)新型功率半導體產品。

目前，通過與國內外知名FAB合作，新瀝半導體已成功量產650V IGBT產品、30V SGT MOS、1200V 80毫歐碳化硅MOS，正計劃產品化新的專利。

矽迪半導體將新建試產線工廠

4月1日，據矽迪半導體官微信息，他們在去年9月完成數千萬天使輪融資，由九合創(chuàng)投領投。

據悉，本輪融資資金將用于持續(xù)加大研發(fā)投入，新建試產線工廠，以提高生產能力來滿足客戶的進一步需求，預計產能可提升兩倍左右。

文章透露，矽迪半導體（蘇州）有限公司成立于2023年2月，主營業(yè)務為功率模塊應用解決方案、仿真平臺PLSIM以及功率半導體模塊的研發(fā)生產，產品技術覆蓋碳化硅和氮化鎵，以及高功率密度IGBT和FRD等。

其中，核心產品升壓轉換器（Boost）采用了IGBT并聯(lián)SiC MOSFET 技術，屬于國內首創(chuàng)，組合轉換效率達99%，成本可降低至全SiC方案的6成左右，在滿足客戶對高效率和小型化需求的同時，可顯著降低生產成本。

盈鑫半導體：加速國產化替代

3月29日，據東莞科創(chuàng)金融集團消息，他們旗下松山湖天使基金已經完成對盈鑫半導體的天使輪投資。通過本輪融資，盈鑫半導體可以加速核心原材料自產進度，實現(xiàn)半導體拋光研磨材料的進口替代。

文章透露，東莞市盈鑫半導體材料有限公司成立于2021年6月，是一家集研發(fā)、制造和銷售為一體的綜合型CMP制程材料供應商，聚焦泛半導體領域卡脖子材料的國產替代。

據悉，CMP拋光材料具有較高的技術壁壘，大量專利掌握在國外巨頭手中，盈鑫半導體率先布局第三代半導體拋光研磨材料，配合行業(yè)龍頭企業(yè)工藝調試期間，同步開發(fā)SiC襯底和GaN外延CMP制程所需的吸附墊、拋光墊產品，率先實現(xiàn)國產化，占據先發(fā)優(yōu)勢。

蓋澤科技：SiC設備下線量產

3月27日，據蓋澤智控官微信息，他們于去年11月完成了新一輪融資，由蘇創(chuàng)投·國發(fā)創(chuàng)投、蘇高新融晟、元禾原點等機構聯(lián)合投資，融資金額為數千萬元。去年5月，他們還獲得了數千萬元Pre-A輪戰(zhàn)略融資。

據悉，本輪融資將主要用于團隊擴充，新產品研發(fā)及市場拓展。進一步加速半導體檢測設備及高端傳感產品的深度開發(fā)、擴大產品種類、加大人才和研發(fā)投入。

官微資料顯示，蓋澤精密科技（蘇州）有限公司成立于2021年11月，專注于半導體光學量檢設備和工業(yè)智能光學傳感產品的研發(fā)和創(chuàng)新，半導體量測設備可應用于硅、碳化硅、氮化鎵等材料晶圓的量檢需求，成功替代進口同類設備；FTIR膜厚量測設備已下線量產，目前已向多家央企、國企、上市晶圓公司等知名半導體企業(yè)交付，并用于碳化硅、硅晶圓外延層的批量量測中。

根據“行家說三代半”此前報道，2023年2月，蓋澤科技自主研發(fā)生產的SiC外延膜厚測量設備GS-M06Y已正式交付客戶，該設備采用最新研發(fā)的碳化硅外延檢測技術，應用于半導體前道量測，主要針對硅外延/碳化硅外延層厚度進行精準測量。

注：本文來源地方政府及企業(yè)官網，僅供信息參考，不代表“行家說三代半”觀點。