3月18日,據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,臺(tái)積電將在臺(tái)灣地區(qū)嘉義科學(xué)園區(qū)先進(jìn)封裝廠新廠加大投資,園區(qū)將撥出六座新廠用地給臺(tái)積電,比原本預(yù)期的四座多兩座,總投資額逾5000億新臺(tái)幣(約合人民幣1137億元),主要擴(kuò)充晶圓基片芯片(CoWoS)先進(jìn)封裝產(chǎn)能。另據(jù)其他媒體消息顯示,臺(tái)積電正考慮在日本建設(shè)先進(jìn)的芯片封裝產(chǎn)能,選擇之一是將其CoWoS封裝技術(shù)引入日本。
3月18日晚間,臺(tái)積電官方雖未證實(shí)六座新廠及日本擴(kuò)建封裝廠的消息,但其表示,因應(yīng)市場對(duì)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能強(qiáng)勁需求,臺(tái)積電計(jì)劃先進(jìn)封裝廠將進(jìn)駐嘉義科學(xué)園區(qū)。
據(jù)悉,從去年中至今年初,中國臺(tái)灣方面就積極協(xié)調(diào)臺(tái)積電先進(jìn)封裝廠進(jìn)駐位于太保的嘉科,相關(guān)環(huán)評(píng)、水電設(shè)施都已盤點(diǎn)、處理完成,預(yù)計(jì)4月就能動(dòng)工,這間接證實(shí)相關(guān)傳聞。
先進(jìn)封裝需求強(qiáng)勁,臺(tái)積電CoWoS一騎絕塵
先進(jìn)封裝的意義旨在實(shí)現(xiàn)更大的互連密度(每個(gè)區(qū)域有更多的互連),減少跡線長度(trace length )以降低每比特傳輸?shù)难舆t和能量。目前先進(jìn)封裝領(lǐng)域的主要競爭對(duì)象早已不僅僅是傳統(tǒng)的封裝企業(yè),許多晶圓代工大廠和存儲(chǔ)巨頭企業(yè)也紛紛參與進(jìn)來,主要選手有包括日月光、英特爾、臺(tái)積電、三星、安靠、長電科技、通富微電、華天科技等。
上述各家先進(jìn)封裝略有不同,包括臺(tái)積電的SoIC、CoWoS和InFO等,英特爾的EMIB、Foveros和Co-EMIB等,三星的I-Cube(2.5D)、X-Cube(3D),日月光的Fan Out Package-on-Package(FOPoP)、Fan Out Chip-on-Substrate(FOCoS)等六大核心封裝技術(shù)等,大陸情況看,長電科技已覆蓋SiP、WL-CSP、2.5D、3D等,同時(shí)XDFOI Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計(jì)劃進(jìn)入穩(wěn)定量產(chǎn)階段;通富微電擁有多樣化Chiplet封裝解決方案,已具備7nm、5nm、Chiplet等先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢;華天科技同樣已經(jīng)具備5nm芯片的封裝技術(shù),Chiplet封裝技術(shù)也已量產(chǎn)。
這其中,臺(tái)積電此次擴(kuò)產(chǎn)的CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)以及最近爆火的HBM先進(jìn)封裝為行業(yè)重點(diǎn)。
臺(tái)積電的CoWoS封裝為何物?
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,臺(tái)積電的CoWoS先進(jìn)封裝是目前AI 服務(wù)器芯片主力采用者。CoWoS封裝技術(shù)主要分為CoW和oS兩段,其中,CoW主要整合各種Logic IC(如CPU、GPU、AISC等)及HBM存儲(chǔ)器等,另外,oS部分則將上述CoW以凸塊(Solder Bump)等接合,封裝在基板上,最后再整合到PCBA,成為服務(wù)器主機(jī)板的主要運(yùn)算單元,與其他零部件如網(wǎng)絡(luò)、儲(chǔ)存、電源供應(yīng)單元(PSU)及其他I/O等組成完整的AI 服務(wù)器系統(tǒng)。
臺(tái)積電方面已多次釋出產(chǎn)能擴(kuò)建消息,臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家曾在1月份表示,該公司計(jì)劃今年將CoWos產(chǎn)量增加一倍,并計(jì)劃在2025年進(jìn)一步增加。本輪先進(jìn)封裝熱潮也帶動(dòng)了設(shè)備廠商業(yè)績。據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈人士消息,CoWoS相關(guān)設(shè)備廠商如中國臺(tái)灣萬潤、弘塑、辛耘等近日表示,“每天都在加班,訂單太多了!”
其中,萬潤切入臺(tái)積電2.5D/3D先進(jìn)封裝供應(yīng)鏈,是CoWoS點(diǎn)膠機(jī)與自動(dòng)光學(xué)檢測的主要供應(yīng)商;辛耘為晶圓代工廠先進(jìn)封裝合格供應(yīng)商之一,供應(yīng)鏈透露,臺(tái)積電先進(jìn)封裝大擴(kuò)產(chǎn),辛耘已領(lǐng)先同行取得多數(shù)訂單;弘塑是半導(dǎo)體濕制程設(shè)備生產(chǎn)商,不只是臺(tái)積電供應(yīng)鏈伙伴,亦卡位日月光等全球前六大封測廠供應(yīng)鏈。
與CoWoS緊密掛鉤的HBM也供不應(yīng)求
在性能和市場的推動(dòng)下,產(chǎn)業(yè)希望在單個(gè)封裝內(nèi)能集成更多的Chiplet和HBM,而先進(jìn)封裝使這成為可能。其中,HBM與先進(jìn)封裝技術(shù)緊密掛鉤,其通過先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了新一代內(nèi)存解決方案,將多個(gè)存儲(chǔ)芯片堆疊后和GPU封裝在一起,實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的內(nèi)存組合陣列。
目前,HBM已經(jīng)經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品的更迭,業(yè)界正在期待HBM3E及HBM4的到來。傳統(tǒng)封裝還無法匹配HBM需求,目前各大存儲(chǔ)廠商主要使用基于TSV的封裝技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊。TSV硅通孔技術(shù)通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實(shí)現(xiàn)不同功能芯片集成,貫穿所有芯片層的通道可以進(jìn)行信號(hào)、指令、電流的傳輸,吞吐量的增加打破了單一封裝內(nèi)低帶寬的限制。
行業(yè)人士表示,臺(tái)積電的CoWoS是目前最適配的封裝方案。不夸張地說,目前幾乎所有的HBM系統(tǒng)都封裝在CoWos上。
據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究,由于HBM售價(jià)高昂、獲利高,進(jìn)而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估,截至2024年底,整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m,占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%,供給位元年成長約260%。此外,2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%,至2024年底將擴(kuò)大至20.1%。
TrendForce集邦咨詢觀察,以HBM產(chǎn)能來看,三星、SK海力士(SK hynix)至今年底的HBM產(chǎn)能規(guī)劃最積極,三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K(含TSV);SK海力士約120K,但產(chǎn)能會(huì)依據(jù)驗(yàn)證進(jìn)度與客戶訂單持續(xù)而有變化。另以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品市占率來看,目前SK海力士于HBM3市場比重逾9成,而三星將隨著后續(xù)數(shù)個(gè)季度AMD MI300逐季放量持續(xù)緊追。