SPIE國(guó)際會(huì)議上的中國(guó)面孔 貢獻(xiàn)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體檢測(cè)量測(cè)“智慧”

日前，第49屆SPIE Advanced Lithography + Patterning會(huì)議在美國(guó)加州圣何塞拉開(kāi)帷幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)于光刻和圖形成型技術(shù)最具影響力的國(guó)際會(huì)議，本屆大會(huì)吸引了來(lái)自全球各地的專(zhuān)家、學(xué)者，帶來(lái)近600篇論文，涉及極紫外光刻、新型圖形技術(shù)、微光刻的計(jì)量、檢驗(yàn)和過(guò)程控制等六大領(lǐng)域。

SPIE（International Society for Optical Engineering）是致力于光學(xué)、光子學(xué)、光電子學(xué)和成像領(lǐng)域的研究、工程和應(yīng)用的著名專(zhuān)業(yè)學(xué)會(huì)，每年召開(kāi)眾多學(xué)術(shù)會(huì)議，所形成的會(huì)議文獻(xiàn)反映了相應(yīng)專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和動(dòng)態(tài)，具有極高的學(xué)術(shù)價(jià)值。

東方晶源兩篇檢測(cè)量測(cè)技術(shù)相關(guān)論文被SPIE Advanced Lithography + Patterning會(huì)議論文集收錄，并受邀在會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)通過(guò)演講及海報(bào)展示等形式進(jìn)行分享，成為本次大會(huì)上出現(xiàn)為數(shù)不多的“中國(guó)面孔”。此外，東方晶源在本屆大會(huì)發(fā)布的論文數(shù)量和質(zhì)量均可比肩國(guó)際頭部公司，展現(xiàn)出在半導(dǎo)體檢測(cè)量測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，以及不斷探索前沿技術(shù)的前瞻性和領(lǐng)先性。

論文一：A noval flow of full-chip OPC model calibration and verification by utilizing SEM image contours

本篇論文中，東方晶源提出了優(yōu)化傳統(tǒng)基于CD數(shù)據(jù)（關(guān)鍵尺寸）進(jìn)行OPC（光學(xué)鄰近校正）建模的方式，采用一種創(chuàng)新的流程，將掃描電鏡圖像輪廓數(shù)據(jù)加入OPC建模來(lái)提高最終OPC模型對(duì)芯片圖形的全面覆蓋能力。流程中引入了芯片圖形采樣技術(shù)，不僅可以確保對(duì)芯片圖形的全面覆蓋，還可以最大限度地減少OPC建模數(shù)據(jù)收集的工作量。在這項(xiàng)研究中，還實(shí)現(xiàn)了東方晶源軟件產(chǎn)品和硬件產(chǎn)品的協(xié)同優(yōu)化，可進(jìn)行全過(guò)程自動(dòng)化的高精度輪廓提取和OPC建模。同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了輪廓提取結(jié)果與CD-SEM測(cè)量結(jié)果的高度匹配，使得同時(shí)利用CD數(shù)據(jù)和輪廓提取數(shù)據(jù)進(jìn)行OPC建模成為可能。

東方晶源的研究結(jié)果顯示，當(dāng)引入SEM輪廓數(shù)據(jù)參與OPC模型建模后，新的OPC模型與傳統(tǒng)CD量測(cè)結(jié)果建模在1D Pattern上均有良好表現(xiàn)，同時(shí)使用了SEM輪廓建模的OPC模型對(duì)2D Pattern也有更好的預(yù)測(cè)性。這項(xiàng)研究證實(shí)了SEM輪廓數(shù)據(jù)用于OPC建模的可靠性和優(yōu)勢(shì)，后續(xù)東方晶源將在此領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，充分發(fā)揮在電子束量測(cè)和OPC領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，為提升集成電路制造良率管理探索更多可能。

該論文演講后，國(guó)際大廠的OPC部門(mén)對(duì)該技術(shù)方案產(chǎn)生了濃厚的興趣并與東方晶源接洽探討更多技術(shù)細(xì)節(jié)。

論文二：Innovative wafer defect inspection mode: self-adaptive pattern to pattern inspection

本篇論文中東方晶源提出了一種全新的自適應(yīng)Pattern-to-Pattern (P2P)的晶圓缺陷檢測(cè)模式。與傳統(tǒng)的Die-to-Die (D2D)、Cell-to-Cell (C2C)和Die-to-Database (D2DB)檢測(cè)方式不同， P2P檢測(cè)方式對(duì)檢測(cè)區(qū)域沒(méi)有限制，對(duì)圖像質(zhì)量依賴(lài)性低。因此這種方法可適用于SEM圖像，光學(xué)圖像等廣泛缺陷檢測(cè)領(lǐng)域。P2P檢測(cè)方式利用設(shè)計(jì)布局信息，將檢測(cè)圖像與設(shè)計(jì)圖形對(duì)齊，并根據(jù)設(shè)計(jì)圖形的幾何特征劃分基本單位。然后通過(guò)相同單位彼此比較來(lái)分析這些圖像區(qū)域，從而能夠檢查獨(dú)特和復(fù)雜的圖形。這種自適應(yīng)方法通過(guò)比較對(duì)齊的相似圖像模式消除了制造工藝變化的影響，從而防止了高度依賴(lài)于檢測(cè)算法造成的缺陷誤檢。論文中還提供了P2P缺陷檢測(cè)的實(shí)際結(jié)果，能相當(dāng)有效的檢出實(shí)際缺陷，并且?guī)缀醪恍枰M(jìn)行Recipe設(shè)置。

會(huì)后，檢測(cè)設(shè)備的同行積極聯(lián)系并詢(xún)問(wèn)技術(shù)細(xì)節(jié)，對(duì)東方晶源提出的上述技術(shù)理念給予了高度關(guān)注與肯定。

經(jīng)過(guò)十年的技術(shù)攻關(guān)和不斷積累，東方晶源已在計(jì)算光刻O(píng)PC、電子束量測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域取得重大突破，以填補(bǔ)多項(xiàng)國(guó)內(nèi)空白的壯舉，成為國(guó)內(nèi)上述領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。本次兩篇論文被SPIE Advanced Lithography + Patterning會(huì)議論文集收錄，不僅體現(xiàn)出東方晶源的技術(shù)實(shí)力，以及充分將OPC、CD-SEM等技術(shù)優(yōu)勢(shì)進(jìn)行結(jié)合的創(chuàng)新探索精神，同時(shí)也在國(guó)際舞臺(tái)上展現(xiàn)出中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的良好風(fēng)貌。相信，隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，會(huì)有越來(lái)越多的廠商登上國(guó)際舞臺(tái)，展現(xiàn)中國(guó)“芯”力量！