安世半導(dǎo)體：SiC&GaN并駕齊驅(qū)，助推客戶降本增效

回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來的前進(jìn)方向，行家說三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報(bào)道。本期嘉賓是安世半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略副總監(jiān)?王駿躍。接下來還將有更多的領(lǐng)軍企業(yè)參與《行家瞭望》，敬請(qǐng)期待。

SiC&GaN具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，劍指汽車、消費(fèi)、工業(yè)、新能源等市場(chǎng)

行家說三代半：過去一年，貴公司的SiC&GaN業(yè)務(wù)取得了哪些進(jìn)展？

王駿躍：2023年是安世半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的豐收年！

目前，我們率先推出兩款SiC器件：650V二極管以及1200V SiC MOSFET。此外，我們還推出了E-mode配置的GaN器件。這使我們成為目前唯一一家能夠同時(shí)生產(chǎn)E-mode和Cascode級(jí)聯(lián)型GaN器件的生產(chǎn)商。安世半導(dǎo)體憑借20多年來使用銅夾片技術(shù)的成功經(jīng)驗(yàn)，推出了采用全新CCPAK封裝的GaN器件，將銅夾片封裝技術(shù)的所有公認(rèn)優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用于650 V及更高電壓應(yīng)用。

作為提供Cascode級(jí)聯(lián)配置的E-mode GaN器件獨(dú)家供應(yīng)商，我們深感自豪，同時(shí)，這充分體現(xiàn)了我們?cè)诎雽?dǎo)體尖端技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)承諾與投入。我們的SiC MOSFET擁有超低的RDson溫度漂移，進(jìn)一步鞏固了安世半導(dǎo)體在提供高性能解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

行家說三代半：針對(duì)新能源汽車等新興市場(chǎng)，貴公司的SiC&GaN技術(shù)、產(chǎn)品有哪些布局和優(yōu)勢(shì)？

王駿躍：我們專注于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的應(yīng)用，并在汽車、工業(yè)、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和可再生能源等多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域開展業(yè)務(wù)。我們認(rèn)識(shí)到這些材料具有廣泛的通用性，并且能夠推動(dòng)各行各業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)變革。

在汽車領(lǐng)域，作為汽車市場(chǎng)值得信賴的供應(yīng)商，我們正在積極將自身的專業(yè)技術(shù)和知識(shí)應(yīng)用到寬禁帶半導(dǎo)體器件的研發(fā)中，不斷探索適用于高功率電子設(shè)備和電動(dòng)汽車組件的應(yīng)用；

工業(yè)應(yīng)用方面，我們將SiC和GaN器件應(yīng)用于各種功率系統(tǒng)中，以提高效率；

在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域，我們專注于優(yōu)化電源解決方案；

在清潔能源領(lǐng)域，我們將SiC和GaN應(yīng)用于太陽能和風(fēng)能逆變器中，提高整體效率并降低運(yùn)營成本，在推動(dòng)可再生能源發(fā)展方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用；

智能化方面，我們的技術(shù)應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心，有助于顯著提高電源效率，最終降低運(yùn)營成本。

強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、新建產(chǎn)線以穩(wěn)定供應(yīng)，差異化、客戶為中心筑牢優(yōu)勢(shì)

行家說三代半：隨著SiC&GaN市場(chǎng)需求的不斷增長，貴公司采取了哪些措施來確保產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)？

王駿躍：首先，我們與行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)軍企業(yè)建立了牢固的合作關(guān)系。值得一提的是，我們與Kyocera AVX Salzburg在SiC模塊方面的合作，以及與三菱在SiC MOSFET方面的合作，對(duì)SiC器件發(fā)展起到了重要的推動(dòng)作用。這些合作不僅增強(qiáng)了我們的技術(shù)能力，還為我們提供了可靠的高質(zhì)量材料，從而保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定持續(xù)供應(yīng)以滿足不斷增長的市場(chǎng)需求。

其次，考慮到市場(chǎng)增長趨勢(shì)，我們已投入大量資金來擴(kuò)大我們的生產(chǎn)能力，包括建立配備先進(jìn)技術(shù)的新生產(chǎn)線。這些投資旨在提高我們的整體生產(chǎn)能力，確保我們能夠滿足市場(chǎng)對(duì)SiC和GaN產(chǎn)品日益增長的需求。

此外，我們深知在技術(shù)創(chuàng)新方面保持領(lǐng)先的重要性。安世半導(dǎo)體不斷地努力豐富和拓展產(chǎn)品組合，這充分體現(xiàn)了我們對(duì)創(chuàng)新的承諾。我們持續(xù)投入資源進(jìn)行研發(fā)工作，致力于推出先進(jìn)的解決方案，以在SiC和GaN市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位。這不僅確保我們能夠穩(wěn)定提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，還有助于穩(wěn)固我們?cè)谙蚩蛻籼峁┫冗M(jìn)解決方案方面的領(lǐng)先地位。

行家說三代半：目前，SiC&GaN器件似乎陷入“價(jià)格戰(zhàn)”，貴公司將采取哪些差異化路線獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)？

王駿躍：我們的差異化路線圖包括從戰(zhàn)略使用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，制定以客戶為中心的方案，開發(fā)匹配客戶應(yīng)用和需要為關(guān)注重點(diǎn)的產(chǎn)品系列，以及掌握行業(yè)領(lǐng)先的專有封裝技術(shù)。通過這些措施，我們堅(jiān)信安世半導(dǎo)體能夠適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境的變化，并在SiC和GaN器件領(lǐng)域保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

SiC&GaN需求爆發(fā)，安世半導(dǎo)體推進(jìn)多線布局

行家說三代半：展望2024年，SiC&GaN產(chǎn)業(yè)將迎來怎樣的機(jī)遇和挑戰(zhàn)？

王駿躍：2024年，SiC和GaN行業(yè)將迎來一系列重大機(jī)遇，智能互聯(lián)、數(shù)字化、電氣化、自動(dòng)化、可持續(xù)發(fā)展和能源效率等大趨勢(shì)，將推動(dòng)SiC和GaN市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)顯著增長。

在電源、轉(zhuǎn)換器和逆變器等高電壓和大電流應(yīng)用中，相較于硅基解決方案，SiC和GaN解決方案具有可持續(xù)性優(yōu)勢(shì)和成本利好。汽車行業(yè)，尤其是電動(dòng)汽車領(lǐng)域，聚焦在更高的功率密度和集成式功率轉(zhuǎn)換器中預(yù)計(jì)將率先采用SiC技術(shù)，然后GaN技術(shù)逐步普及。

為了保持商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，需要進(jìn)一步降低寬禁帶半導(dǎo)體的制造成本。實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和大批量的SiC和GaN晶圓生產(chǎn)依然面臨挑戰(zhàn)，需要持續(xù)研發(fā)投入。除了技術(shù)和物流方面的挑戰(zhàn)外，政府政策、監(jiān)管框架和標(biāo)準(zhǔn)變化，所有這些都會(huì)對(duì)SiC和GaN技術(shù)在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用產(chǎn)生重大影響。

行家說三代半：2024年，貴公司定下來了哪些規(guī)劃和目標(biāo)？

王駿躍：展望未來，安世半導(dǎo)體將憑借多元化和差異化的產(chǎn)品組合，在引領(lǐng)未來技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮核心作用，鞏固其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球領(lǐng)導(dǎo)者的地位。功率分立器件（包括寬禁帶）以及電源管理和信號(hào)調(diào)節(jié)IC將為持續(xù)增長奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

我們的現(xiàn)階段關(guān)注重點(diǎn)在于通過引入車規(guī)級(jí)產(chǎn)品來擴(kuò)大SiC系列產(chǎn)品，從而滿足汽車行業(yè)對(duì)堅(jiān)固耐用的高性能解決方案日益增長的需求。

為了滿足日益增長的電力供應(yīng)和互聯(lián)需求，我們始終聚焦為客戶提供高效節(jié)能的解決方案和優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，確保迅速適應(yīng)行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。