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    • 什么是隔離?
    • 隔離的方法
    • 各種隔離技術(shù)的比較
    • 為什么使用陶瓷材料?
    • 使用哪種技術(shù)?
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工程設(shè)計(jì)中的隔離技術(shù)怎么選才安全?

02/06 10:30
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隨著能源需求的擴(kuò)大,電流和電壓值也會(huì)上升。在許多應(yīng)用中,更高的電壓變得更為常見,即使在獨(dú)立應(yīng)用中也是如此。具有更高電壓的應(yīng)用都被認(rèn)為存在危險(xiǎn),包括電動(dòng)汽車 (EV),能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,例如直流快速充電 (DCFC)、太陽能、儲(chǔ)能和不間斷電源 (UPS)。

在與高壓設(shè)備進(jìn)行人機(jī)交互時(shí),電流隔離是必要的,并由安全標(biāo)準(zhǔn)定義,以確保安全運(yùn)行。創(chuàng)建隔離有多種方法,具體選擇哪種取決于應(yīng)用、技術(shù)要求或適用標(biāo)準(zhǔn)。這篇技術(shù)文章將探討不同的方法,并討論如何為應(yīng)用選擇合適的方法。

什么是隔離?

通常稱為“電氣隔離”,意思是沒有金屬接觸,目的是隔離功能部分或電氣電子電路,以防止電流在它們之間流動(dòng)。

圖1.電氣隔離原理

隔離的主要原因之一是保障安全;當(dāng)人員可能與供電設(shè)備交互時(shí),這一點(diǎn)尤為重要。提供適當(dāng)?shù)母綦x可確保任何用戶,即使在發(fā)生嚴(yán)重故障的情況下,也不會(huì)接觸到危險(xiǎn)電壓。

隔離通常由適用于應(yīng)用的安全標(biāo)準(zhǔn)定義。該定義可能只涉及擊穿電壓,也可能包括對(duì)物理隔離(“爬電距離和間隙”)的要求。

除了保護(hù)用戶,隔離還可以分開電路的低壓 (LV) 和高壓 (HV) 部分,并在過濾共模噪聲方面發(fā)揮作用。由于沒有金屬傳導(dǎo)路徑,接地電流無法循環(huán),從而消除了隔離電路中與接地環(huán)路相關(guān)的噪聲。

除了保護(hù)人員,隔離還可以保護(hù)高價(jià)值電路元件和子系統(tǒng)免受電路其他區(qū)域的災(zāi)難性故障造成的損壞。

隔離的方法

雖然隔離使不同的電路部分保持分離,但信號(hào)需要跨越隔離邊界,因此需要使用諸如光耦合器或者數(shù)字隔離器,在保持隔離等級(jí)的同時(shí)允許傳輸信號(hào)。

最常見的方法是使用一個(gè)集成了LED和光敏晶體管的光耦合器。這項(xiàng)技術(shù)已有50多年歷史,并繼續(xù)在隔離器件市場占據(jù)主導(dǎo)地位,份額約為85%。

數(shù)字隔離器可以是磁性的或電容性的,雖然這些技術(shù)相對(duì)較新,但售出的隔離器件中大約有七分之一是數(shù)字隔離器。它們?cè)谔囟☉?yīng)用(尤其是汽車)中特別有價(jià)值,這些領(lǐng)域的增長將使得數(shù)字隔離器在未來占有更大的市場份額。

各種隔離技術(shù)的比較

每種技術(shù)因性能和價(jià)格各異,適合的應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。

“傳統(tǒng)”光耦合器器件使用環(huán)氧樹脂或硅凝膠提供>400μm的相對(duì)穩(wěn)健的隔離距離 (DTI),符合EN 60950的要求。然而,隨著時(shí)間的推移,這些器件的運(yùn)行和性能會(huì)相對(duì)下降,并且溫度不穩(wěn)定。它們的預(yù)期壽命也相對(duì)較短,約為10年,并且很少有符合車規(guī) AEC 標(biāo)準(zhǔn)的。

圖2.隔離技術(shù)概述

光耦合器通常不太適合多通道設(shè)計(jì),因?yàn)檫@需要很大的空間。然而,從積極的方面來說,光耦合器由于使用光來傳輸,因此沒有 EMI/EMC 問題,并且它們不需要調(diào)制信號(hào),從而降低了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,同時(shí)節(jié)省了空間和成本。

兩種片上數(shù)字技術(shù)(磁性和電容性)的性能相似。明顯的區(qū)別在于,磁性器件使用磁場通過20μm聚酰亞胺絕緣體傳遞信號(hào),而電容式器件使用電場穿過SiO2隔離屏障。

隨著時(shí)間和溫度的變化,這兩種數(shù)字技術(shù)都能帶來更快的傳播和性能,預(yù)期壽命約為20年,是光耦合器的兩倍。它們還提供更高的共模瞬變抗擾度 (CMTI),在100kV/μs左右。

不利的一面是,數(shù)字器件的DTI僅為20μm 左右,無法滿足EN60950的要求。它們還需要信號(hào)調(diào)制,因?yàn)樗鼈儾荒芡ㄟ^DC,并且在使用這些器件時(shí)必須考慮EMC/EMI的設(shè)計(jì)。

安森美 (onsemi) 的Digi-Max?技術(shù)提供了一種獨(dú)特的數(shù)字隔離器類型,稱為片外電容式。它使用500μm的陶瓷基板作為電容器,將其與初級(jí)和次級(jí)芯片分開,因此稱為“片外”。金屬層沉積在陶瓷基板的兩邊以構(gòu)建電容器,提供 0.5 mm 的隔離距離。通常,兩組電容器用于差模通信,以幫助消除共模噪聲。

圖3.片外數(shù)字隔離器在單獨(dú)的陶瓷基板上構(gòu)建電容器,具有多種優(yōu)勢

片外隔離器的工作原理與片上解決方案類似。使用開關(guān)鍵控 (OOK),這樣當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí),施加到電容器的信號(hào)不會(huì)被調(diào)制,因此輸出保持低電平。當(dāng)輸入為高電平時(shí),調(diào)制信號(hào)通過電容器,導(dǎo)致輸出上升。

圖4.數(shù)字隔離器使用開關(guān)鍵控 (OOK) 跨隔離邊界傳輸信號(hào)

Digi-Max技術(shù)在電容器上多路復(fù)用數(shù)據(jù),因此多通道并行數(shù)據(jù)可以作為串行數(shù)據(jù)流傳輸。這免去了使用多個(gè)電容器的需要,從而減小了解決方案的尺寸。

故障防護(hù)操作

就本質(zhì)而言,隔離器件在使用過程中可能會(huì)遇到電氣過載 (EOS)。然而,關(guān)鍵的考慮因素是它們是否仍然安全。為了說明這一點(diǎn),我們將兩個(gè)器件(一個(gè)安森美Digi-Max隔離器和類似的競品器件)都暴露在 VDD 和接地端之間的擊穿限制電壓下。

正如預(yù)期的那樣,兩個(gè)器件都失效了。然而,在開封之前,它們都經(jīng)過了絕緣測試。競品器件在大約2.76kV時(shí)失效,而安森美的Digi-Max數(shù)字隔離器在60秒內(nèi)保持了數(shù)據(jù)表中標(biāo)定的5kV性能。這清楚地表明,使用Digi-Max,即使在發(fā)生嚴(yán)重的EOS事件后,隔離屏障仍然完好無損,即使出現(xiàn)功能故障,保護(hù)仍然存在。

為什么使用陶瓷材料?

片外使用陶瓷材料來制造電容器,作為隔離屏障和信號(hào)傳輸介質(zhì),使用開關(guān)鍵控 (OOK) 技術(shù)從一端傳輸信號(hào)到另一端。

在 EOS/ESD 損壞其中一個(gè) IC 的情況下,片外隔離結(jié)構(gòu)使用陶瓷材料保護(hù)絕緣屏障。

使用陶瓷材料制作隔離電容器有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。陶瓷材料是良好的電絕緣體和熱絕緣體,具有較低的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。火焰從初級(jí)側(cè)傳播到次級(jí)側(cè)幾乎是不可能的,因?yàn)樘沾刹牧暇哂懈呷埸c(diǎn)并且耐熱。它們經(jīng)久耐用,具有相當(dāng)出色的耐用性、硬度和強(qiáng)度。陶瓷具有化學(xué)惰性,因此不會(huì)與其他化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。簡而言之,在制造隔離電容器時(shí),沒有任何材料可以與 SiO2 材料相媲美。

使用哪種技術(shù)?

如果只需要單通道或雙通道解決方案,光耦合器通常是理想解決方案。如果需要輕松滿足 EMC 要求,或成本是關(guān)鍵考慮因素,光耦合器也是理想選擇。

但是,如果應(yīng)用需要較長的使用壽命(>10 年),或隨時(shí)間和溫度的變化保持穩(wěn)定性能,則數(shù)字隔離器是理想技術(shù)。它們也更適合高通道數(shù)應(yīng)用和需要雙向通信的應(yīng)用。由于很少有光隔離器符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn),因此幾乎所有汽車隔離器都是數(shù)字隔離器。

Digi-Max 技術(shù)提供與其他數(shù)字隔離器一樣的各種性能優(yōu)勢和特性,而且不會(huì)因 EOS 事件發(fā)生安全故障。此外,由于獨(dú)特的電容器結(jié)構(gòu),它還可以提供與光耦合器器件相同水平的可靠性。

圖5.技術(shù)總結(jié)

隔離是許多設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵方面,并且與許多技術(shù)一樣,設(shè)計(jì)人員有多種選擇。盡管光耦合器已經(jīng)存在了很長時(shí)間,但它有一些局限性,尤其是在汽車應(yīng)用中。如今的數(shù)字隔離器克服了許多這些問題并符合AEC標(biāo)準(zhǔn)。

憑借獨(dú)特的片外結(jié)構(gòu),安森美的Digi-Max數(shù)字隔離器 為設(shè)計(jì)人員提供了另一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢,即使在發(fā)生災(zāi)難性EOS事件后也能保持原有的隔離等級(jí)。

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安森美

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歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會(huì)津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲(chǔ)器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲(chǔ)器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號(hào)管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺(tái)灣:臺(tái)北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計(jì)中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺(tái)灣:臺(tái)北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會(huì)津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲(chǔ)器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲(chǔ)器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號(hào)管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺(tái)灣:臺(tái)北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計(jì)中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺(tái)灣:臺(tái)北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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