供應(yīng)比亞迪、理想！2家碳化硅企業(yè)獲得主驅(qū)訂單

近日，又有2家碳化硅企業(yè)與車(chē)企進(jìn)一步加深合作：

● 安森美：與理想汽車(chē)成功續(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議，提供EliteSiC 1200V裸芯片；

●?芯聯(lián)集成：向比亞迪代工主驅(qū)級(jí)SiC芯片；

安森美：向理想汽車(chē)提供1200V SiC芯片

1月9日，安森美宣布與理想汽車(chē)成功續(xù)簽長(zhǎng)期供貨協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，理想汽車(chē)將在其下一代800V高壓純電車(chē)型中采用安森美高性能EliteSiC 1200 V裸芯片，并繼續(xù)在其未來(lái)車(chē)型中集成安森美800萬(wàn)像素高性能圖像傳感器，2家公司的合作將加快汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程和提升行車(chē)安全性。

針對(duì)這次合作，理想汽車(chē)表示，“我們的目標(biāo)是到2025年形成同時(shí)開(kāi)發(fā)增程電動(dòng)車(chē)和高壓純電車(chē)的產(chǎn)品布局，在向800V高壓轉(zhuǎn)換的進(jìn)程中，穩(wěn)定可靠的SiC供應(yīng)鏈至關(guān)重要。”

根據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道，2023年12月，理想汽車(chē)還與意法半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)SiC長(zhǎng)期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，理想汽車(chē)即將推出的800V 高壓純電平臺(tái)將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)。

芯聯(lián)集成：為比亞迪供應(yīng)SiC芯片

1月8日，芯聯(lián)集成宣布，他們獲得由比亞迪頒發(fā)的“特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”。據(jù)悉，自2021年開(kāi)始，芯聯(lián)集成與比亞迪展開(kāi)了多領(lǐng)域的廣泛合作，業(yè)務(wù)涉及晶圓SiC MOSFET、IGBT、Si 基MOSFET等功率器件，車(chē)載主驅(qū)功率模組以及模擬IC等多個(gè)領(lǐng)域。

該公司表示，自合作開(kāi)展以來(lái)，他們代工的產(chǎn)品已規(guī)模進(jìn)入比亞迪的海洋和王朝系列。在碳化硅方面，2023年開(kāi)始，芯聯(lián)集成代工的SiC芯片還大批量搭載在比亞迪新能源汽車(chē)上。

此前，芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇曾公開(kāi)表示，“芯聯(lián)集成的SiC MOSFET芯片實(shí)現(xiàn)了每個(gè)月5000片的規(guī)?；慨a(chǎn),?SiC功率模塊也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)，這些芯片及模塊90%以上都是應(yīng)用在新能源汽車(chē)的主驅(qū)逆變器上。此外，我們正在建設(shè)8英寸SiC器件生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2024年通線投入生產(chǎn)?！?/p>