2024或?qū)⒊蔀榕_(tái)積電“擴(kuò)廠年”，臺(tái)積電3nm有望插旗日本！

2024年或?qū)⒊蔀?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E5%8F%B0%E7%A7%AF%E7%94%B5/">臺(tái)積電“擴(kuò)廠年”！業(yè)界盛傳臺(tái)積電?日本設(shè)廠將有重大規(guī)劃，除了熊本一廠、二廠之外，臺(tái)積電有望在日本大阪，設(shè)立第三座廠房，大阪廠或?qū)⒁?guī)劃3nm產(chǎn)能。

臺(tái)積電3nm有望插旗日本

據(jù)日媒報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電（TSMC）的日本子公司JASM（Japan Advanced Semiconductor Manufacturing）新廠-熊本12英寸超大晶圓廠即將在2月24日舉行開(kāi)幕儀式，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音、總裁魏哲家預(yù)料都將出席。這家備受矚目的新工廠計(jì)劃在今年（2024年）底開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。這將進(jìn)一步提升臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位。而日本也將成為臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)最快的海外廠區(qū)！

自2022年4月開(kāi)工以來(lái)，JASM的“第一工廠”建設(shè)進(jìn)展順利，目前大樓已基本竣工，部分辦公樓已于2023年8月投入使用。生產(chǎn)設(shè)備將于2024年10月開(kāi)始運(yùn)送至廠房，并于同年底開(kāi)始量產(chǎn)。

臺(tái)積電熊本第一工廠將生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導(dǎo)體。這一戰(zhàn)略布局不僅將鞏固臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，也將推動(dòng)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇和發(fā)展。日本政府已決定向第一工廠提供最多4760億日元（當(dāng)前約236.1億元人民幣）的補(bǔ)貼。

同時(shí)，臺(tái)積電還計(jì)劃在熊本縣建造第二家工廠來(lái)生產(chǎn)5nm芯片。此外，據(jù)彭博社報(bào)道，臺(tái)積電正考慮在熊本縣建設(shè)第三座芯片工廠，生產(chǎn)先進(jìn)3納米芯片。這一項(xiàng)目代號(hào)臺(tái)積電Fab-23三期。雖然目前尚不清楚何時(shí)開(kāi)建第三工廠，但等到新工廠量產(chǎn)時(shí)，3nm可能已經(jīng)落后屆時(shí)最新技術(shù)1-2個(gè)世代。

市場(chǎng)猜測(cè)，日本將成為臺(tái)積電海外擴(kuò)廠重點(diǎn)，除了熊本兩座晶圓廠，分別規(guī)劃特殊制程、以及7nm以下先進(jìn)制程，臺(tái)積電先前設(shè)立3D IC研發(fā)中心，以及兩座IC設(shè)計(jì)中心分別在橫濱、大阪，支援日本IDM客戶設(shè)計(jì)服務(wù)。

臺(tái)積電2nm將在2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電3nm已在臺(tái)灣Fab 18量產(chǎn)。3 nm將分為五個(gè)層次，每個(gè)層次都更強(qiáng)大、晶體管密度更高、效率更高，五個(gè)層次分別為：N3、N3E（增強(qiáng)型）、N3P（性能增強(qiáng)型）、N3S（密度增強(qiáng)型）和 N3X（超高性能）。

同時(shí)，還計(jì)劃在2025年正式推出新一代工藝N2（2nm）。

同N3E相比，N2將在相同功耗下將性能提高10%至15%，并在相同頻率和晶體管數(shù)量下功耗降低25%至30%。相比N3E，N2的芯片密度提高了1.1倍。

此前，臺(tái)積電總裁 魏哲家曾公開(kāi)表示：“我們根據(jù)客戶的要求，正在擴(kuò)大臺(tái)積公司的全球制造版圖，以增加客戶信任，擴(kuò)展我們未來(lái)的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)，并可接觸到全球的人才?！?/p>

隨著總裁魏哲家，接替劉德音扛下海外擴(kuò)廠重責(zé)大任，臺(tái)灣本土1.4nm、2.0nm選址告一段落，日本3nm工廠規(guī)劃或?qū)⒓铀?。預(yù)期未來(lái)，隨著庫(kù)存去化告一段落，以及AI應(yīng)用逐步騰飛，晶圓代工需求將持續(xù)增長(zhǎng)。