距離上次更新差不多兩個月了,轉(zhuǎn)眼就到了2023年的最后一天。
加入國產(chǎn)半導體的隊伍也有兩月,雖然時間不長,但感受到了無盡的激情,從工業(yè)為主的日常工作內(nèi)容到電動汽車為主,新的應(yīng)用領(lǐng)域有著很多不一樣的東西和樂趣。
今天我們來聊一聊車規(guī)模塊中的一種芯片表面互連技術(shù)--Die Top System, DTS。
前言
什么是DTS?這個詞匯也是前段時間才第一次聽說,可能很多朋友早就聽說過或者接觸過,突然覺得孤陋寡聞了。出于成本的原因,工業(yè)模塊中很少會采用這種技術(shù),所以很多小伙伴不是很了解,包括我自己。
所以,知識的海洋很大,我們只是在其中一葉小舟,在前行的過程中不斷地積累,以應(yīng)對不同的風浪。
DTS技術(shù)
DTS技術(shù)由Heraeus提出的一種芯片頂部系統(tǒng)技術(shù),以下基于賀利氏的一篇論文展開,Aarief Syed-Khaja, "Material Solutions for High-reliability and High?temperature Power Electronics".
模塊內(nèi)部采用的連接技術(shù)最常見的是焊接和鋁線互連,通常使用的鋁線線徑在100um~500um,而這些在150℃以上時,這些的可靠性就有了局限性。這也是很多應(yīng)用要求模塊封裝技術(shù)不斷推陳出新的因素之一,比如新能源汽車。
隨著運行溫度和可靠性要求的提升,在車規(guī)模塊中采用銅線代替鋁線,但銅線直接鍵合到傳統(tǒng)的芯片金屬化會導致一些損傷和缺陷,這一點在我們之間聊丹佛斯DBB技術(shù)時提到過。從而賀利氏推出的DTS技術(shù)有效地解決了硬銅線綁定的一些顧慮,下面是DTS的橫截面圖,
它包含了在銅片上的預涂銀層,來保護芯片免受相對于鋁綁定線而言更高的鍵合力。同時,它將芯片電流產(chǎn)生的熱量均勻地分布到整個芯片表面,降低芯片局部溫度峰值,改善了電熱性能。
銀燒結(jié)
傳統(tǒng)焊料的熔點在220℃~240℃之間,在較高的運行溫度下會出現(xiàn)過早的失效,特別是碳化硅此類的寬禁帶半導體的應(yīng)用中。而銀的熔點在962℃左右,非常薄的銀層(如20um或30um)作為粘合層,能夠滿足高溫要求。同時銀的高熱導率200W/mK,具有較低的熱阻。
DTS
DTS是銅箔帶有預涂銀膏的組合,主要適用于單面水冷設(shè)計,其中芯片的熱量也可以有效的從芯片頂部耗散。DTS交付時是保存在8英寸的框架中,易于處理和存儲,銅箔厚度為50um,預印的銀膏為40um。
組裝過程
使用DTS技術(shù)的模塊制造和傳統(tǒng)燒結(jié)生產(chǎn)過程相似,在基板上放置芯片,取出DTS熱放在芯片表面,可以將模塊內(nèi)部所有芯片放置完成之后再放置DTS,或者芯片和DTS交替放置,根據(jù)實際需求選擇。DTS和芯片同時燒結(jié)。
燒結(jié)參數(shù)
燒結(jié)機和工藝參數(shù)主要決定了燒結(jié)質(zhì)量。主要參數(shù)為時間、壓力和溫度。燒結(jié)質(zhì)量也受到組件上的壓力分布、組件的高度、表面污染和工藝氣氛的影響。通過燒結(jié)接頭的孔隙度來評價其質(zhì)量。對于帶有SMD組件的模塊,如ntc和墊片,應(yīng)使用適當?shù)母叨妊a償支撐材料。
線鍵合
傳統(tǒng)的半導體芯片采用了標準的鋁金屬化技術(shù)。銅線結(jié)合在鋁金屬化上是不可能的,需要一個兼容的厚銅金屬化。為了粘合一根直徑為300μm的銅線,需要至少40μm的高質(zhì)量銅金屬化,以不損害芯片的活性表面。傳統(tǒng)的濕鍍銅還不可能,但仍在研究階段,以高質(zhì)量實現(xiàn)這一目標。DTS技術(shù)可以很好地解決這一問題,能夠滿足500um的粗銅線。
可靠性
DTS系統(tǒng)與銀燒結(jié)結(jié)合應(yīng)用對其可靠性有巨大的影響。僅用銀燒結(jié)劑代替焊料,用DTS燒結(jié)和銅線代替頂部鋁線,在極端條件下,結(jié)溫度至少降低了10K,壽命至少增加了10倍。
燒結(jié)質(zhì)量對模塊的可靠性有重要影響,DTS的設(shè)計是為了使設(shè)備能夠一步燒結(jié),并避免額外的膏印和檢查步驟。器件的兩步燒結(jié)過程,即芯片燒結(jié)后再進行DTS燒結(jié),可能會在芯片頂部帶來粘附問題,導致燒結(jié)質(zhì)量差。在不可避免的兩步燒結(jié)的情況下,建議在放置DTS前進行等離子體清潔步驟。
小結(jié)
可見,DTS是為了更好地使用銅綁定線,所有我們經(jīng)??吹降慕M合是DTS+TCB,使得模塊能夠運行在更高的結(jié)溫和具有更高的可靠性,適用于SiC等第三代半導體的需求。
DTS技術(shù)的推出其實和丹佛斯DBB技術(shù)有著不小的淵源,有時候推成出新更多的是優(yōu)化和創(chuàng)新的結(jié)合。我們不也正是在學習的路上希望著能夠有所創(chuàng)新嘛!
今天的內(nèi)容希望你們能夠喜歡!