致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服務(wù)器電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的展示板圖
近年來(lái),工業(yè)領(lǐng)域?qū)aN的需求逐步攀升。根據(jù)AKCP機(jī)構(gòu)測(cè)算,2023年網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”目標(biāo)最大的挑戰(zhàn)之一。其中,海量的數(shù)據(jù)需求將繼續(xù)加快數(shù)據(jù)中心的建設(shè)速度。因此,具備更高效率和更高功率密度的解決方案成為數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的迫切需求。在此趨勢(shì)下,大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH、和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案,旨在利用先進(jìn)的GaN器件助力服務(wù)器電源實(shí)現(xiàn)更出色的能效。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖
本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換,其中,PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH,其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩ;PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH,其同樣采用Toll封裝,導(dǎo)通電阻為70mΩ;LLC橋臂采用4顆INN650D080BS,其采用DFN8*8封裝,導(dǎo)通電阻為80mΩ。與Si MOS相比,Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co(tr)以及無(wú)反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。
通過(guò)效率測(cè)試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達(dá)到96.5%,能輕松滿(mǎn)足80 Plus鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。不僅如此,在通信電源、LED照明等應(yīng)用中,本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢(shì),具有廣泛的應(yīng)用前景。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的方塊圖
Innoscience在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域進(jìn)行了多年的產(chǎn)品布局,旗下?lián)碛袕那岸薖SU電源到主板DC/DC模塊,以及芯片直接供電的全鏈路解決方案。未來(lái)隨著GaN的優(yōu)越性能逐漸顯現(xiàn),其相關(guān)技術(shù)將在更多應(yīng)用中大放異彩。在這個(gè)過(guò)程中,大聯(lián)大將與Innoscience攜手共進(jìn)、共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的解決方案,助力客戶(hù)加快GaN技術(shù)的應(yīng)用。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
- 高效率:在230Vac Vin下效率高達(dá)96.5%,符合80Plus鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn);
- 高功率密度:76W/in3;
- 1U標(biāo)準(zhǔn)尺寸:185mm×65mm×36mm(PCBA)。
方案規(guī)格:
- 效率:96.5%@230Vac(80 Plus鈦金級(jí)能效);
- 功率密度:76W/in3;
- InnoGaN:
INN650TA070AH *2;
INN650TA030AH *2;
INN650D080BS *4。