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LLC拓撲結(jié)構(gòu)如何在更低負載下進入打嗝模式

2023/12/21
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閱讀需 7 分鐘
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在ACDC開關(guān)電源設計過程中,當需要實現(xiàn)高效率設計需求時,工程師往往會考慮LLC諧振半橋拓撲結(jié)構(gòu)。LLC拓撲結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)軟開關(guān),因此在開關(guān)電源設計尤其是在大功率的開關(guān)電源設計過程中往往具有優(yōu)勢。目前市面上經(jīng)常可以看到的NCP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓撲結(jié)構(gòu)控制芯片家族的代表成員。

但是在設計過程中,工程師發(fā)現(xiàn)在輕載情況下LLC諧振電路工作狀態(tài)總是不容易穩(wěn)定。這是由于LLC拓撲結(jié)構(gòu)本身的特性決定的。因此LLC控制芯片往往會在輕載的時候讓電源進入打嗝模式(SKIP狀態(tài))。什么時候進入打嗝模式對于LLC諧振半橋設計來說是一個比較艱難的選擇,在負載較大的時候進入打嗝模式,會導致變壓器噪聲等問題,在較小的負載進入打嗝模式又可能會導致輸出電壓不穩(wěn)定等問題。在一些設計場合,比如LED照明電源,相對于輸出電壓和電流的穩(wěn)定性來說,工程師往往不太在意輕載效率和待機功耗等問題,因此希望能在盡量小的負載進入打嗝模式甚至不進入打嗝模式。

目前市面上的LLC拓撲結(jié)構(gòu)電源大部分會在10%負載情況下進入打嗝模式,那么有沒有更多的選擇,能在更低負載情況下進入打嗝模式呢?NCL30159,安森美半導體LLC控制芯片家族的新成員,給出了新的選擇項。

產(chǎn)品方案簡介:

1. 方案特點:

  • 使用onsemi臨界模式的電流型PFC控制器NCL2801,內(nèi)部集成谷底開通技術(shù),在具備優(yōu)良的THD和PF值性能基礎上,還擁有優(yōu)秀的效率表現(xiàn);
  • 使用安森美的最新電流型LLC拓撲結(jié)構(gòu)驅(qū)動芯片NCL30159,在NCP1399和NCP13992的基礎上,增加了原邊恒流功能,并對輕載時候的打嗝工作模式進行了優(yōu)化;
  • 簡易的外部線路,有利于簡化PCB布板工作;
  • 完善的保護:OTP,OVP,OCP等;

2. 方案簡易結(jié)構(gòu)框圖:

3. 應用領域:

  • 高PF值,低THD,高效率等應用場合,比如LED照明行業(yè);

方案應用實例:

1. 方案實物圖:

2. 典型應用原理圖以及線路介紹:

  • PFC部分使用onsemi的NCL2801產(chǎn)品,SOIC-8封裝,外圍線路簡單。FB腳為輸出電壓采樣信號輸入端,作為反饋信號輸入端的同時還有輸出電壓OVP功能保護。MULT腳外置電阻分壓,采樣輸入AC電壓,用于判定輸入電壓范圍以及設置BO功能保護。在設計過程中,還需要注意CS腳外部電阻(R10)的取值:R10阻值固定為4檔,分別是150Ω,330Ω,620Ω以及1000Ω。R10的取值大小決定了負載大小變化時,MOS管開關(guān)過程中的第一個固定跳變CTRL腳的電壓大小,R10取值越大,第一個谷底跳變時的負載就越大。我們推薦使用150Ω或者330Ω電阻,在擁有較好THD表現(xiàn)的同時,也有較好的效率表現(xiàn)。
  • LLC部分使用安森美的最新LLC結(jié)構(gòu)控制芯片NCL0159,SOIC-16封裝。作為電流型控制的LLC控制器,擁有快速的反饋環(huán)反應速度,具有優(yōu)秀的動態(tài)響應表現(xiàn)。NCL30159內(nèi)置高壓啟動腳HV腳,可以耐受最大720V的啟動電壓。PFCFB腳內(nèi)部內(nèi)置1V電壓基準,檢測PFC部分電壓,用于設置LLC電路的啟動電壓點。SKIP腳內(nèi)置20uA恒流源,外置對地電阻產(chǎn)生電壓與FB電壓比較,用于設置NCL30159進入SKIP模式的負載點。LLCCS腳內(nèi)置2.72V(版本不同會有差異)基準,通過外部電容分壓(C15,C16以及R30)檢測諧振電容上電壓,用于實現(xiàn)原邊諧振腔電流大小檢測以及OCP保護。PFCMODE腳為電壓輸出端,當VCC電壓高于Vcc_on之后,PFCMODE會有一個穩(wěn)定的電壓輸出(正常工作狀態(tài)時為12V左右)。該電壓可以用于給PFC部分控制器VCC腳供電。
  • 反饋環(huán)路電路使用onsemi新發(fā)布的芯片產(chǎn)品NCL38046。該產(chǎn)品SO-8封裝,內(nèi)部集成CC/CV反饋功能,并且內(nèi)置PWM調(diào)光和模擬調(diào)光功能,極大簡化了LED照明電源副邊反饋線路。

3. 優(yōu)化打嗝工作模式,更低負載進入打嗝模式:

4. 優(yōu)秀的調(diào)光精度和效率表現(xiàn):

5. 優(yōu)秀的PF值和THD表現(xiàn):

方案應用總結(jié):

作為在市場經(jīng)過驗證的PFC和LLC控制器,NCL2801、NCP1399和NCP13992以其優(yōu)秀的表現(xiàn)贏得了非常多電源工程師的認可和青睞。在此基礎上,NCL30159增加了原邊恒流功能,高壓啟動腳耐壓提升到720V,并且優(yōu)化了輕載時候的打嗝工作模式,使得NCL30159在功能上更加完善,并且極大改善了輕載時候打嗝模式不易調(diào)試的痛點。

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安森美

安森美

歷史安森美半導體前身是摩托羅拉集團的半導體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標準模擬和標準邏輯等器件。并購紀錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設計和制造設施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導體和富士通半導體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導體公司。2016年八月,安森美半導體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導體完成收購飛兆半導體公司。產(chǎn)品安森美半導體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務;定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標準邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

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