15億、6萬片！新車規(guī)級SiC項目開工

12月18日，據(jù)“徐州高新發(fā)布”官微消息，漢軒微電子車規(guī)級功率器件制造項目已正式開工建設(shè)。

公告透露，該項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平方米，潔凈室面積約1.4萬平方米，將打造一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠，可滿足6到8英寸晶圓的生產(chǎn)需求。

項目規(guī)劃SiC MOS、VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT等多個工藝代工平臺，投產(chǎn)后月產(chǎn)能可達(dá)6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進(jìn)一步完善本地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動車規(guī)級功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程。

官網(wǎng)進(jìn)一步介紹，該項目由漢軒微電子與乂易半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)起，公司擁有SiC功率器件、BGBM化鍍工藝、Multi-EPI工藝等多項成熟產(chǎn)品及技術(shù)，團(tuán)隊自有專有技術(shù)超過百項。本項目將積極推動設(shè)備、材料國產(chǎn)化，首條產(chǎn)線使用的國產(chǎn)設(shè)備預(yù)計超過20%，在生產(chǎn)原材料方面，預(yù)計國產(chǎn)化率將超過90%，

漢軒微電子董事長李雨庭表示，目前國內(nèi)車規(guī)半導(dǎo)體器件供應(yīng)受到嚴(yán)重挑戰(zhàn)，通過在高新區(qū)的投資建廠，漢軒微電子將助力國產(chǎn)車規(guī)級功率器件發(fā)展，打破國外對車規(guī)級芯片和相關(guān)技術(shù)的壟斷。

企查查顯示，漢軒微電子成立于2023年3月，注冊資本為1億元，控股方為芯想半導(dǎo)體。芯想半導(dǎo)體成立于2023年10月，注冊資本為0.5億元，但隨后向漢軒微電子投資9100萬，持股比例達(dá)91%。這兩家公司的法定代表皆為同一人，此外，該名人士也參與了對乂易半導(dǎo)體的投資，持股比例占31%。

值得關(guān)注的是，2023年10月，乂易半導(dǎo)體與徐州高新區(qū)政府簽約無錫乂易車規(guī)級功率器件制造項目，總投資約11億元，計劃年產(chǎn)SiC SBD、GaN、SiC MOS等共計約36萬片，項目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年銷售收入約11.5億元。