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    • ?01、突破4nm制程良率瓶頸
    • ?02、3nm之爭(zhēng)
    • ?03、三星欲在2nm翻盤
    • ?04、臺(tái)積電的挑戰(zhàn)
    • ?05、強(qiáng)敵加入戰(zhàn)團(tuán)
    • ?06、結(jié)語(yǔ)
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芯片訂單有逆轉(zhuǎn)之勢(shì),臺(tái)積電拉響警報(bào)

2023/11/30
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作者:暢秋

近日,三星晶圓代工業(yè)務(wù)陸續(xù)傳來(lái)好消息,首先,AMD正在認(rèn)真考慮使用三星4nm制程產(chǎn)線量產(chǎn)新一代CPU,這表明三星4nm工藝的技術(shù)和良率水平達(dá)到了一個(gè)新的高度,完全可以與臺(tái)積電4nm制程匹敵了。之前這些年,AMD最新CPU產(chǎn)品從來(lái)沒有走出過臺(tái)積電的制程產(chǎn)線,三星4nm制程的提升,進(jìn)一步縮小了與臺(tái)積電的差距,也給后者增添了壓力。

不止AMD,本來(lái)都屬于臺(tái)積電的高性能計(jì)算(HPC)芯片和車用芯片大單,近期也在改變動(dòng)向,三星不斷接到AI芯片代工訂單,包括用于AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的GPU和CPU。

此外,Google、微軟和亞馬遜等互聯(lián)網(wǎng)巨頭都在開發(fā)自家的AI處理器。無(wú)論是AMD這樣的芯片大廠,還是互聯(lián)網(wǎng)巨頭,越來(lái)越希望減少對(duì)單一晶圓代工先進(jìn)制程的依賴,隨著三星晶圓代工技術(shù)和良率的不斷成熟,給這些芯片大客戶提供了更多選擇。

?01、突破4nm制程良率瓶頸

三星已將4nm制程良率提升到了70%左右,并重點(diǎn)在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn),該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5(HW 5.0)計(jì)算機(jī)。

前些年,三星是特斯拉較早版本FSD芯片的代工合作伙伴,用于Model 3、Model S、Model X和Model Y等電動(dòng)車,但在2022年,特斯拉轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電,主要原因就是三星4nm制程的良率問題,此次,特斯拉訂單回流的關(guān)鍵,就是三星4nm良率取得大幅度進(jìn)步。從目前的情況來(lái)看,特斯拉計(jì)劃同時(shí)采用臺(tái)積電和三星的先進(jìn)制程產(chǎn)線,用于量產(chǎn)其第五代汽車芯片。

除了良率大幅提升,三星的價(jià)格優(yōu)勢(shì)也很誘人。今年5月,三星董事長(zhǎng)李在镕和特斯拉CEO馬斯克會(huì)面,據(jù)悉,李在镕給出了非常優(yōu)惠的價(jià)格。

除了特斯拉,今年2月,三星和Ambarella達(dá)成協(xié)議,代工生產(chǎn)后者用于處理Level 2-Level 4自動(dòng)駕駛的CV3-AD685芯片;4月,三星還贏得了MobileyeADAS芯片訂單,之前,Mobileye的相關(guān)芯片訂單都是交給臺(tái)積電的。

在汽車芯片站住腳后,三星先進(jìn)制程將向HPC處理器進(jìn)發(fā),目標(biāo)就是AMD和英偉達(dá)等大客戶。

三星的4nm制程主要分為五代,逐年迭代,它們是SF4E、SF4、SF4P、SF4X和SF4A。2024年,該公司將推出其第四代4nm制程工藝SF4X,對(duì)標(biāo)的是臺(tái)積電的N4P制程。據(jù)悉,SF4X是專為數(shù)據(jù)中心CPU和GPU等高性能處理器量身定制的,這也是三星晶圓代工近年來(lái)第一個(gè)專門為高性能計(jì)算應(yīng)用設(shè)計(jì)的工藝節(jié)點(diǎn)。

?02、3nm之爭(zhēng)

臺(tái)積電的3nm在2022年第四季度量產(chǎn),但那時(shí)沒有多少產(chǎn)量,直到2023年第三季度,蘋果新機(jī)大規(guī)模采用3nm制程處理器后,才開始放量,不過,從目前的情況來(lái)看,臺(tái)積電2023年版本的3nm制程還沒有達(dá)到其規(guī)劃的N3E版本水平,要到2024下半年才能進(jìn)一步提升良率和成本效益。據(jù)臺(tái)積電介紹,與5nm相比,N3E在相同功耗下速度提升18%,在相同速度下功耗降低32%,邏輯密度提升約60%、芯片密度提升30%。

三星的首個(gè)版本3nm(SF3E)制程工藝量產(chǎn)時(shí)間是領(lǐng)先臺(tái)積電的,并且引入了全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù),臺(tái)積電3nm則仍在使用FinFET工藝。不過,三星的3nm制程訂單較少,主要用于生產(chǎn)一些挖礦ASIC。

對(duì)于三星來(lái)說,3nm制程是其趕上臺(tái)積電的機(jī)會(huì),據(jù)報(bào)道,三星LSI部門正在開發(fā) Exynos 2500,這是該公司首款采用3nm工藝的手機(jī)處理器,預(yù)計(jì)在2024下半年量產(chǎn)。如果三星自己設(shè)計(jì)的3nm制程Exynos處理器表現(xiàn)良好,可能會(huì)有更多客戶將訂單轉(zhuǎn)向三星。

良率方面,目前來(lái)看,臺(tái)積電的良率約為70%,三星的也提升到了60%左右。

2024年,臺(tái)積電將推出升級(jí)版本的3nm工藝,也就是N3E,到那時(shí),臺(tái)積電代工的性價(jià)比也將提升,三星的3nm必須進(jìn)一步優(yōu)化成本效益,才能與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)。

2024下半年,三星也將推出新版本的3nm(SF3)制程,據(jù)悉,與SF4相比,在相同功率下,SF3的性能會(huì)提高22%,在相同頻率和晶體管數(shù)量下,功耗可降低34%,邏輯面積減少 21%。

2025年,三星計(jì)劃推出新版本的3nm制程SF3P,目標(biāo)是爭(zhēng)奪數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算CPU和 GPU訂單。

?03、三星欲在2nm翻盤

2025年,三星將推出2nm(SF2)制程,據(jù)悉,該工藝將采用背面供電技術(shù),這樣可以進(jìn)一步提升性能,因?yàn)楣╇?a class="article-link" target="_blank" href="/tag/%E7%94%B5%E8%B7%AF/">電路被移到芯片背面,給正面留出了集成更多晶體管的空間。

在2nm制程之后,三星將增加晶體管的納米片數(shù)量,這樣可以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流,提高性能,因?yàn)楦嗟募{米片允許更多的電流流過晶體管,從而增強(qiáng)其開關(guān)能力和運(yùn)行速度。更多的納米片還可以更好地控制電流,有助于減少漏電流,從而降低功耗。改進(jìn)的電流控制也意味著晶體管產(chǎn)生的熱量更少,從而提高了電源效率。

臺(tái)積電計(jì)劃于2025年推出其2nm制程,也將采用納米片工藝,到那時(shí),三星已經(jīng)在GAA晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),這對(duì)晶圓代工很有利。因此,三星對(duì)2nm制程寄予厚望,希望在那時(shí)完全趕上臺(tái)積電,無(wú)論是工藝技術(shù),還是良率,可以與后者分庭抗禮。

總體來(lái)看,三星晶圓代工的SF5,SF4制程良率都達(dá)到了70%左右,基于此,2024年,有幾家大客戶將回歸。到2025年,SF2制程很可能從臺(tái)積電那里爭(zhēng)奪更多訂單。

?04、臺(tái)積電的挑戰(zhàn)

目前,臺(tái)積電穩(wěn)坐在全球晶圓代工龍頭寶座上,但該公司一點(diǎn)也不敢松懈,在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手不斷加快追趕腳步的情況下,臺(tái)積電每年在新技術(shù)、工藝的研發(fā),以及先進(jìn)產(chǎn)線建設(shè)方面都投入了大量資金,然而,摩爾定律的逐漸“失效”使該公司的投資回報(bào)率不如前些年那么高了。

從2023年第三季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)來(lái)看,臺(tái)積電3nm、5nm產(chǎn)線營(yíng)收上漲非常明顯,特別是3nm,與2022年同期相比,今年對(duì)該公司整體營(yíng)收提供了6%的貢獻(xiàn),而去年幾乎為零??傮w來(lái)看,臺(tái)積電先進(jìn)制程(5nm、4nm、3nm)填補(bǔ)了其它制程節(jié)點(diǎn)營(yíng)收下滑所形成的空缺。

通過分析各個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的營(yíng)收數(shù)據(jù)。可以看出,臺(tái)積電的每一個(gè)新制程工藝在出現(xiàn)3年后,其營(yíng)收增長(zhǎng)就停滯了,增量營(yíng)收主要靠更先進(jìn)的工藝來(lái)支撐。所以,該公司的營(yíng)收增長(zhǎng)幾乎完全依賴于最先進(jìn)制程工藝的迭代。而從10nm開始,臺(tái)積電新制程工藝營(yíng)收的迭代速度明顯放慢了。

從7nm開始,先進(jìn)制程工藝的研發(fā)難度大幅提升,主要體現(xiàn)在成本方面,5nm的研發(fā)成本達(dá)到90多億美元,3nm的高成本已經(jīng)嚇退了臺(tái)積電的傳統(tǒng)大客戶,要等到明年的新版本N3E將成本降下來(lái)后才能下單。未來(lái),2nm、1nm等新工藝發(fā)展的難度更大,投入更高。

制程工藝迭代的速度明顯放慢,未來(lái)發(fā)展的難度越來(lái)越大,這就給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供了追趕的空間和時(shí)間。

據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì),三星晶圓代工市場(chǎng)份額從2023年第一季度的9.9%上升至第二季度的11.7%,營(yíng)收從27.57億美元增加到32.34億美元。臺(tái)積電依然是該領(lǐng)域的霸主,但其市場(chǎng)份額下降至56.4%。

此外,臺(tái)積電的財(cái)務(wù)也存在著一些問題。

知名半導(dǎo)體分析師陸行之表示:“在看到代工客戶庫(kù)存降低,產(chǎn)能利用率逐步回升,3nm手機(jī)和4nm制程AI芯片代工復(fù)蘇之后,我反而開始被很多臺(tái)積電退休高管詢問,臺(tái)積電到底怎么了?”

陸行之說,很多人問,投資美國(guó)廠有經(jīng)過董事會(huì)的事先討論嗎,還是董事會(huì)已經(jīng)成為橡皮圖章?這幾年,臺(tái)積電的債務(wù)為何一路攀升?

陸行之指出,近年來(lái),因?yàn)榇笠?guī)模的資本支出而開始大量發(fā)行公司債,同時(shí),臺(tái)積電大量買入其它公司發(fā)行的債券。為何在張忠謀2018年退休之后,凈現(xiàn)金(Net cash to equity ratio =17%)和現(xiàn)金流沒出現(xiàn)問題的情況下,整體負(fù)債比例從2018年的11%增加到了2023年6月的30%?

面對(duì)如此龐大又多樣的公司債券及政府公債市場(chǎng),臺(tái)積電如何管理并應(yīng)對(duì)可能的爆雷風(fēng)險(xiǎn)?從財(cái)務(wù)管理的角度來(lái)看,臺(tái)積電是否已決定偏離當(dāng)年張忠謀一直強(qiáng)調(diào)并嚴(yán)格執(zhí)行的“財(cái)務(wù)保守”原則?

?05、強(qiáng)敵加入戰(zhàn)團(tuán)

自2021年以來(lái),英特爾積極投入晶圓代工業(yè)務(wù)(IFS),特別是在先進(jìn)制程方面,明顯加快了迭代的節(jié)奏。與臺(tái)積電形成了既競(jìng)爭(zhēng)又合作的關(guān)系。

為了提升競(jìng)爭(zhēng)力,英特爾要在四年內(nèi)快速迭代出五個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn),目前,Intel 7制程已經(jīng)量產(chǎn),接下來(lái),Intel 4將登場(chǎng),后續(xù)規(guī)劃將進(jìn)展到Intel 3、Intel 20A與Intel 18A。

產(chǎn)能方面,英特爾已經(jīng)陸續(xù)擴(kuò)建位于美國(guó)亞利桑那州與俄勒岡州的晶圓廠,該公司還在墨西哥、愛爾蘭、以色列等地設(shè)有晶圓廠,并在中國(guó)大陸和馬來(lái)西亞設(shè)有封測(cè)工廠。

2022年,英特爾宣布,規(guī)劃投資歐盟半導(dǎo)體研發(fā)及制造項(xiàng)目,相關(guān)投資范圍橫跨德國(guó)、愛爾蘭、意大利、法國(guó)、波蘭等地。

晶圓代工客戶方面,英特爾表示,高通將采用其Intel 20A制程來(lái)生產(chǎn)芯片,聯(lián)發(fā)科也將利用IFS的成熟制程來(lái)制造芯片。另外,AWS將是第一個(gè)采用英特爾IFS封裝解決方案的客戶。

當(dāng)然,英特爾在晶圓代工發(fā)展道路上仍處于起步階段,短時(shí)間內(nèi)還難以對(duì)臺(tái)積電和三星構(gòu)成威脅。但新競(jìng)爭(zhēng)者的加入,而且還是這樣一家強(qiáng)敵,會(huì)分食更多原本屬于臺(tái)積電的蛋糕,這顯然是后者不愿意看到的。

?06、結(jié)語(yǔ)

從目前全球晶圓代工市場(chǎng)的格局來(lái)看,誰(shuí)掌控了先進(jìn)制程(7nm及以下)技術(shù)和客戶,誰(shuí)就能在整體市場(chǎng)中占有很高的份額,典型代表就是臺(tái)積電和三星,因?yàn)槿?5%以上的7nm及更先進(jìn)制程晶圓代工訂單都被這兩家瓜分了,而它們的綜合市場(chǎng)占有率分別達(dá)到了56%和18%左右。

要追趕臺(tái)積電,三星的關(guān)鍵點(diǎn)也是先進(jìn)制程,而在7nm、5nm和3nm這幾波競(jìng)爭(zhēng)中,三星都明顯落后。但隨著技術(shù)迭代越來(lái)越難,臺(tái)積電最先進(jìn)制程工藝前進(jìn)的腳步在放緩,同時(shí),三星雖然落后,但其迭代的速度是在提升的。此消彼長(zhǎng),在可預(yù)見的2nm制程量產(chǎn)階段,三星有望抗衡臺(tái)積電。

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說,技術(shù)和商業(yè)拓展,以及美國(guó)政府帶來(lái)的額外負(fù)擔(dān)越來(lái)越重。未來(lái)幾年,臺(tái)積電在全球晶圓代工市場(chǎng)的份額很有可能會(huì)緩慢下滑。也希望三星和英特爾的市占率能夠逐步提升,畢竟,長(zhǎng)時(shí)間的一家獨(dú)大,無(wú)論是對(duì)整個(gè)市場(chǎng),還是對(duì)諸多IC設(shè)計(jì)公司來(lái)說,都缺少了更多、更好的選擇空間。

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