東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機(jī)鋰離子電池組的保護(hù)。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇,如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護(hù)。
實(shí)現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的雙向開關(guān)需要兩個(gè)具有低RDS(ON)的MOSFET,尺寸為3.3mmí3.3mm或2mmí2mm。東芝的新產(chǎn)品采用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501(3.37mmí1.47mm(典型值),厚度=0.11mm(典型值)),同時(shí)在單封裝共漏極結(jié)構(gòu)中搭載電阻值為9.9mΩ(典型值)的源極-源極導(dǎo)通電阻(RSS(ON))。
USB PD(USB Power Delivery)專門針對需要高功率供電的設(shè)備而開發(fā),可以提供從15W(5V/3A)直至最大240W(48V/5A)的功率。USB PD具有角色交換功能,支持電源側(cè)和接收側(cè)的互換,要求USB充電設(shè)備能夠雙向供電,以便能夠同時(shí)支持電力傳輸和電力接收。此次新產(chǎn)品就是一款支持雙向供電,表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。
將該產(chǎn)品與東芝TCK42xG系列中的驅(qū)動IC相結(jié)合可構(gòu)成具有防回流功能的負(fù)載開關(guān)電路或可以在先合后斷(MBB)和先斷后合(BBM)之間切換操作的電源多路復(fù)用器電路?;谶@種產(chǎn)品組合,東芝于今日發(fā)布了適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計(jì)(使用共漏極MOSFET)。使用該參考設(shè)計(jì)有助于縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開發(fā)時(shí)間。
未來東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其產(chǎn)品線并改進(jìn)相關(guān)特性,以提高設(shè)計(jì)靈活性。
適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計(jì)(使用共漏極MOSFET)
電源多路復(fù)用器電路簡易方框圖
新型封裝TCSPAG-341501
- 應(yīng)用:
智能手機(jī)
筆記本電腦
平板電腦等
- 特性:
高源極-源極額定電壓:VSSS=30V
低導(dǎo)通電阻:RSS(ON)=9.9mΩ(典型值)(VGS=10V)
雙向?qū)ǖ墓猜O連接結(jié)構(gòu)
小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝:3.37mmí1.47mm(典型值),厚度=0.11mm(典型值)
- 主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
注:
[1] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板(25mmí27.5mm、厚度=1.6mm,銅焊盤:18μm、407mm2)上
[2] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板(25mmí27.5mm、厚度=1.6mm,銅焊盤:70μm、687.5mm2)上