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    • 02、內部門極電阻Rg,int
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為什么功率模塊內部有門極電阻?你知道嗎?

2023/10/24
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十月金秋轉眼又接近尾聲了,不知從什么時候感覺時間真的不夠用,也許是年少時感覺時間很充足,身上的責任很少,無所謂時間飛快的腳步。而如今已過而立的年紀,生活和工作都不像以前想的那么簡單,所以努力與時間賽跑,希望自己能夠不負韶華。

今天我們來聊一聊“為什么功率模塊內部有門極電阻?”,這個我們在進行門極驅動設計時經(jīng)常會被提醒不要忽略的參數(shù)。

01、前言

模塊內部電阻Rg,int被提及最多的地方,便是在設計門極驅動時,要求我們不要忽略這個參數(shù)。

那為什么需要在模塊內部增加門極電阻呢?我們經(jīng)常談及的便是,為了實現(xiàn)模塊內部多芯片之間的均流。

確實,為了滿足大電流的需求,模塊內部通過多芯片并聯(lián)來實現(xiàn),就像系統(tǒng)設計中通過多模塊并聯(lián)來實現(xiàn)大電流等級一樣,均流一直是被重視的因素。我們可以看到,不同模塊的內部門極電阻都不太一樣,它們是和什么相關呢?接下來我們就來聊一聊。

02、內部門極電阻Rg,int

作為電力電子核心的“開關”器件,動態(tài)行為的優(yōu)化是模塊研發(fā)較為重要的任務之一,必須在開關損耗、電流和電壓峰值以及電磁兼容性(EMC)之間找到合理的權衡。

我們在模塊應用的過程中,各種振蕩是比較頭疼的問題,解決振蕩的過程可以說是痛并快樂著。而基本是多芯片并聯(lián)的模塊中,由于封裝寄生電感電容和所用半導體芯片特性,寄生振蕩同樣是多種多樣,例如自激振蕩,差模振蕩,PETT(等離子提取傳輸時間)振蕩和IMPATT(碰撞雪崩和渡越時間)振蕩等等,振蕩頻率通常在5MHz到100MHz之間,也有幾百MHz的情況。特別是在開關過程中,這些振蕩可能會惡化EMC,導致模塊出現(xiàn)故障,例如門極過電壓失效(如下圖)等。

考慮到各種寄生參數(shù),內部門極電阻只能作為其中一個可確定的可變參數(shù),從而起到調和作用。但是內部門極電阻的存在必定會占據(jù)DBC的空間,就目前可以說是“寸土寸金”的DBC上,最好是不需要添加門極電阻。

為了更好地了解它的作用,下面我們結合賽米控早前的一篇文獻“Igor Kasko,?SiC MOS Power Module in Direct Pressed Die ?Technology and some Challenges for Implementation”來了解下。它主要是在結合DPD技術的前提下,為了模塊的裝配最好是不要在DBC存在門極電阻。

什么是DPD(Direct Pressed Die),可以參考前段時間的文章,

在開關器件或者短路時,MOSFET工作在飽和區(qū)域,漏極電流由柵極電壓控制,根據(jù)MOSFET的跨到gfs和寄生電容Cgs、Cds、Cdg以及封裝的寄生電感來進行研究。每個MOSFET芯片可以等效為下圖,

以兩個芯片并聯(lián)為例,回路可以等效為下圖,

文獻中主要比較了傳統(tǒng)綁定線和DPD兩種互連技術的寄生電感差異,所以對基于6芯片并聯(lián)的相同模塊封裝,理由ANSYS Q3D對其LD,LS和LG進行了參數(shù)提取。

可以看到,采用DPD技術的寄生電感有著明顯的降低,特別是LD和LS。這里給定的電感并不是并聯(lián)芯片之間點對點連接部分的電感,而是模擬了兩個獨立封閉網(wǎng)絡的自感和互感,計算了三個總電感,使LD+LG是漏極和門極環(huán)路的電感,LS+LG是門極和源極環(huán)路的電感,LG是兩個環(huán)路的耦合電感。這樣在LD、LS和LG之間就不需要額外地表征額外的耦合電感。文章中采用了一種利用節(jié)點分析自動生成等效電路的系統(tǒng)矩陣的算法,尋找最小的Rg,int以獲得穩(wěn)定行為。

首先,在固定的CDS的情況下,研究最小Rg,int和CDS/CDG的關系。

可以看出,所需最小Rg,int隨著CDS/CDG的增大而增大,并且在相同CDS/CDG的情況下,采用DPD技術的模塊每個芯片所需要的柵極電阻要低于采用綁定線的模塊(主要原因還是采用DPD的寄生電感較低)。

同時也研究了最小Rg,int和CGS和gfs的關系,

可以看出,最小必要的Rg,int隨著CGS的增加、gfs的減少和芯片數(shù)量的減少而減小。

內部門極電阻的存在方式:集成在芯片中和額外的在DBC上進行配置。

對于較小的內部門極電阻可以更容易地集成在芯片中,并且不會明顯地影響芯片性能。如果額外地在DBC上添加,首先優(yōu)化和調整相對容易,但是需要占據(jù)DBC的空間,增加模塊的復雜性,降低可靠性。

03、小結

今天主要聊的是平時一直接觸但很少深入了解的一個參數(shù)模塊內部門極電阻,從自激振蕩出發(fā)了解最小門極電阻Rg,int和芯片寄生電容、電感和跨導之間的關系。

最小必要的Rg,int隨著CDS/CDG的增加、CGS的增加、gfs的減少和芯片數(shù)量的減少而減小。

所以,不同的封裝,不同的芯片廠家,不同的芯片配置,導致我們在不同模塊的規(guī)格書中看到的內部柵極電阻都不盡相同。但從靈活性而言,模塊內部的柵極電阻越小,外部可調節(jié)的范圍越大,畢竟最小的門極電阻決定了最大的開關速度,從而決定了最小的開關損耗。

今天的內容希望你們能夠喜歡!

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公眾號“功率半導體那些事兒”主筆,熱衷于功率半導體行業(yè),并且從事相關工作,喜歡關于相關行業(yè)的各種信息,知識和應用。珍惜時光,自由在高處。