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Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)

2023/10/12
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使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件,使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕,且擁有更高的性能和效率。

新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,DAH Solar Co., Ltd.的世界首個集成型光伏(PV)系統(tǒng)采用了Transphorm氮化鎵平臺,DAH Solar是安徽大恒新能源技術(shù)公司的子公司。該集成型光伏系統(tǒng)已應(yīng)用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。DAH Solar對系統(tǒng)中所使用的Transphorm的GaN FET器件給予高度評價,認(rèn)為能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統(tǒng),同時還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量,關(guān)鍵在于使用了Transphorm的功率器件。該設(shè)計成果鞏固了Transphorm在市場的價值主張——目前,氮化鎵在這一應(yīng)用領(lǐng)域的潛在市場規(guī)模(TAM)超過 5 億美元。該成果也再次證明 Transphorm一個核心平臺“鎵”馭全功率(One Core GaN Platform, Crossing the Power Spectrum)的技術(shù)優(yōu)勢。

在DAH Solar SolarUnit產(chǎn)品線的設(shè)計架構(gòu)中,包括DC-DC 和 DC-AC端,均采用了 Transphorm 的 150 mΩ 和 70 mΩ 氮化鎵場效應(yīng)晶體管。SolarUnit有三種可選型號,功率輸出分別為 800 W、920 W 或 1500 W,對應(yīng)峰值效率分別為 97.16%、97.2% 和 97.55%。與目前常用的硅基解決方案相比,氮化鎵器件能做到更高的開關(guān)頻率和功率密度。更值得一提的是,系統(tǒng)中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝,可與常用柵極驅(qū)動器配對,從而幫助 DAH Solar 縮短了設(shè)計時間。

DAH Solar總經(jīng)理Gu Yong說:“我們公司一貫致力于生產(chǎn)創(chuàng)新型光伏產(chǎn)品,總是在不斷尋找更先進的技術(shù),用以改進我們產(chǎn)品,為用戶帶來更好、更高效的體驗。我們認(rèn)為Transphorm 是氮化鎵生產(chǎn)領(lǐng)域的權(quán)威,其先進的氮化鎵場效應(yīng)晶體管是全新 SolarUnit 產(chǎn)品線的不二之選。Transphorm的器件在系統(tǒng)設(shè)計中更容易使用,且具備優(yōu)越的性能,有利于我們的產(chǎn)品繼續(xù)發(fā)揮傳統(tǒng)優(yōu)勢。”

另一項氮化鎵行業(yè)首創(chuàng)

Transphorm的功率器件適用于極為廣泛的電源應(yīng)用領(lǐng)域、并滿足各種功率級的功率轉(zhuǎn)換要求——從45W至10+kW。Transphorm GaN FET產(chǎn)品組合包括 650 V和900 V 器件以及開發(fā)中的 1200 V 器件,產(chǎn)品均已通過 JEDEC 和 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,成為電源適配器計算機PSU、乃至各種工業(yè)UPS以及電動出行系統(tǒng)的優(yōu)選解決方案。

Transphorm的技術(shù)創(chuàng)新再次為整個氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)樹立新的標(biāo)桿,同時也幫助客戶在不同市場推出全新顛覆性的應(yīng)用——例如DAH Solar的光伏系統(tǒng)。該成果得益于Transphorm 的常關(guān)型 SuperGaN? 平臺,該平臺使用d-mode 架構(gòu),充分發(fā)揮出氮化鎵材料的固有優(yōu)勢。這種高性能氮化鎵平臺卓越的結(jié)構(gòu)設(shè)計特性,擁有絕佳的競爭優(yōu)勢,具有更好的易驅(qū)動性、易設(shè)計性、可靠性和可制造性。

Transphorm 亞洲區(qū)銷售副總裁 Kenny Yim 表示:“DAH Solar等市場領(lǐng)先企業(yè)選擇Transphorm氮化鎵平臺,再次證明我們能夠為各種先進應(yīng)用帶來價值。太陽能逆變器以及其它大功率應(yīng)用需要高可靠性、高性能的功率半導(dǎo)體,這些功率半導(dǎo)體必須能在嚴(yán)酷惡劣的環(huán)境中運行數(shù)十年。使用 Transphorm 的 SuperGaN 技術(shù),有助于降低功率損耗,從而最大限度地減小設(shè)計中其它內(nèi)置組件所需承受的熱應(yīng)力。與其它氮化鎵和硅基解決方案相比,這是一項了不起的成果,也是Transphorm氮化鎵器件能為新一代電力系統(tǒng)帶來的最為突出的優(yōu)勢。”

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