東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

類(lèi)似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC 1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。

MG250YD2YMS3具有低導(dǎo)通損耗和0.7V（典型值）的低漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）[2]。此外，它還具有較低的開(kāi)通和關(guān)斷損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅（Si）IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設(shè)備效率。由于MG250YD2YMS3可實(shí)現(xiàn)較低的開(kāi)關(guān)損耗，用戶(hù)可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路，有助于設(shè)備的小型化。

東芝將不斷創(chuàng)新，持續(xù)滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高效率和工業(yè)設(shè)備小型化的需求。

• 應(yīng)用：

工業(yè)設(shè)備

可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）

儲(chǔ)能系統(tǒng)

工業(yè)設(shè)備用電機(jī)控制設(shè)備

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設(shè)備

• 特性：

低漏極-源極導(dǎo)通電壓（傳感器）：

VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）

低開(kāi)通損耗：

Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

低關(guān)斷損耗：

Eoff＝11mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃）

低寄生電感：

LsPN＝12nH（典型值）

• 主要規(guī)格：

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）

注：

[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數(shù)據(jù)基于東芝截至2023年8月的調(diào)研。

[2] 測(cè)量條件：ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃

[3] 測(cè)量條件：VDD＝1100V、ID＝250A、Tch＝150℃

[4] 截至2023年8月，東芝對(duì)2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行比較（2300V Si模塊的性能值是東芝根據(jù)2023年3月或之前發(fā)表的論文做出的預(yù)估）。