低壓直流浪涌的整改案例？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（下）

低壓直流浪涌的整改案例？相信不少人是有疑問(wèn)的，今天深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司就跟大家解答一下！

針對(duì)市面上各種快充型手機(jī)，其適配器輸出的常規(guī)電壓為5V DC，但若采用高壓大電流或者高壓低電流的快充模式，最高輸入電壓有可能達(dá)到20V DC以上。

另外，USB充電頭在插拔瞬間也易產(chǎn)生一些強(qiáng)干擾脈沖注入到端口中；因此，有必要對(duì)手機(jī)的相應(yīng)端口進(jìn)行耐壓能力的評(píng)估測(cè)試。

在比創(chuàng)達(dá)的日常工作中，低壓浪涌類測(cè)試整改項(xiàng)目也是最常見(jiàn)的項(xiàng)目之一；因端口防護(hù)設(shè)計(jì)不良造成的失效也是多種多樣，包括IC芯片燒毀、產(chǎn)品關(guān)機(jī)/復(fù)位、端口器件燒毀等。

經(jīng)過(guò)經(jīng)驗(yàn)豐富的現(xiàn)場(chǎng)整改工程師定位整改后，絕大部分產(chǎn)品均能通過(guò)最優(yōu)方案解決浪涌失效問(wèn)題，那么低壓直流浪涌的整改案例？接下來(lái)就跟著深圳比創(chuàng)達(dá)EMC小編一起來(lái)看下吧！

某TWS充電倉(cāng)要求滿足差模100V浪涌測(cè)試，40V注入無(wú)異常，但在50V注入時(shí)就出現(xiàn)了充電指示燈熄滅、無(wú)充電電流輸入的異常：

定位分析發(fā)現(xiàn)：產(chǎn)品Type-C輸入的最高電壓為20V、同時(shí)后級(jí)被保護(hù)芯片的耐壓為28V（根據(jù)多年的整改經(jīng)驗(yàn)，一般被保護(hù)模塊能承受的浪涌沖擊電壓是其直流耐壓的1.4~1.5倍左右，即本款產(chǎn)品芯片應(yīng)能承受40V左右的耐壓，實(shí)際測(cè)試結(jié)果40V OK、50V Fail也說(shuō)明了這一問(wèn)題）；所以選擇的防護(hù)器件要保證反向截止電壓大于20V、同時(shí)鉗位電壓務(wù)必要小于40V。

綜合考量及現(xiàn)場(chǎng)實(shí)測(cè)，最終選擇了22V防浪涌器件（BTRSF22A401，其規(guī)格參數(shù)如圖5），其殘壓較低，保證不會(huì)燒毀芯片（選用其他高耐壓的器件，雖然器件本身未被損壞，但因鉗位會(huì)比較高，燒毀了幾次芯片）：

最終的解決方案為：如圖6，Type-C輸入的VCC對(duì)地加防浪涌器件。

經(jīng)過(guò)整改，產(chǎn)品最終通過(guò)100V等級(jí)測(cè)試，復(fù)測(cè)驗(yàn)證多次均無(wú)異常。

二、總結(jié)

1、低壓浪涌防護(hù)也是以泄放、鉗位為主要手段，器件主要用TVS和TSS；

2、器件選型時(shí)需注意確保殘壓對(duì)后級(jí)被保護(hù)電路的影響同時(shí)，要注意端口自身的耐壓；即保證被保護(hù)的模塊得到保護(hù)的同時(shí)，也要保證防護(hù)器件本身不易損壞。

綜上所述，相信通過(guò)本文的描述，各位對(duì)低壓直流浪涌的整改案例都有一定了解了吧，有疑問(wèn)和有不懂的想了解可以隨時(shí)咨詢深圳比創(chuàng)達(dá)這邊。今天就先說(shuō)到這，下次給各位講解些別的內(nèi)容，咱們下回見(jiàn)啦！

以上就是深圳市比創(chuàng)達(dá)電子科技有限公司小編給您們介紹的低壓直流浪涌的整改案例的內(nèi)容，希望大家看后有所幫助！

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