東芝推出具有更低導(dǎo)通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設(shè)備

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產(chǎn)生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導(dǎo)通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝，已經(jīng)發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術(shù)。憑借業(yè)界領(lǐng)先[1]的低導(dǎo)通電阻特性實現(xiàn)了低功耗，而業(yè)界領(lǐng)先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外，新產(chǎn)品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設(shè)備中的保護電路的MOSFET產(chǎn)品。

• 應(yīng)用
  家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產(chǎn)品以及辦公和個人設(shè)備，包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設(shè)備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數(shù)碼相機、數(shù)碼單反相機等。
• 特性
  業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
  業(yè)界領(lǐng)先的[1]低柵源漏電流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
  小型化超薄TCSPED-302701封裝：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
  共漏極結(jié)構(gòu)，可方便地用于電池保護電路
• 主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年5月的東芝調(diào)查，與相同額定值的產(chǎn)品進行比較。

[2] 已發(fā)布產(chǎn)品。