美商務部副部長：將對三星、SK海力士在華晶圓廠的發(fā)展設置上限！

2月27日消息，當?shù)貢r間上周四，美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez)在美國戰(zhàn)略與國際問題研究中心（CSIS）組織的“韓美經(jīng)濟安全論壇”上表示，在美國對華半導體出口管制新規(guī)出臺之后，將禁止某些半導體技術進入中國大陸，雖然也會為在中國生大陸設廠的非中國大陸芯片制造商（三星、SK海力士等）設定配額，但將會對他們在中國大陸晶圓廠的發(fā)展設置上限。

將對三星、SK海力士在華晶圓廠發(fā)展設置上限

2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取16/14nm及以下先進邏輯制程芯片、128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠。

雖然在2022年10月11日，三星電子與SK海力士均獲得了美國商務部的豁免許可，允許兩家企業(yè)可以在未來1年內(nèi)無需辦理任何額外的手續(xù)即可獲得美系半導體設備的供應，這也使得他們位于中國大陸的晶圓廠的生產(chǎn)都將暫時不會受到禁令的影響。但是，一年到期之后，他們是否還能繼續(xù)獲得豁免許可呢？

對此，埃斯特維茲并未正面回應，他表示，“我們正在與這些（韓國）公司合作前進?！?/p>

被問及豁免結束后會發(fā)生什么時，埃斯特維茲表示，“可能會對他們在中國發(fā)展的水平設置上限?！?/p>

當被要求進一步澄清時，埃斯特維茲說，會依據(jù)相關公司的NAND閃存芯片堆疊層數(shù)，選定“某個范圍”作為上限。但是這個限制范圍“也將取決于中國人在做什么”。

埃斯特維茲表示，美國政府正與韓國芯片制造商進行深入對話。他說：“我們會與他們合作，確保我們不會傷害我們盟友的公司。與此同時，我們將限制中國，防止他們發(fā)展對我們構成共同威脅的能力。”

“我們身處的世界里，技術是軍事力量的驅動力。半導體是這些技術的核心”，埃斯特維茲說，“需要阻止來自對手的威脅。否則，威脅將指向我們。”

韓國官方：韓國芯片制造商當前的業(yè)務和未來的投資，不應受到干擾

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠。其中，西安工廠是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至目前，西安廠兩期項目總投資已高達270億美元。數(shù)據(jù)顯示，三星西安工廠月產(chǎn)能將達到26.5萬張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%，占據(jù)超過10%全球NAND閃存芯片產(chǎn)能。2022年，三星半導體西安工廠產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無錫、大連（從英特爾手中收購而來）擁有晶圓廠。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過200億美元，在無錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續(xù)推進，無錫工廠將承擔SK海力士DRAM芯片全球生產(chǎn)總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產(chǎn)后將月產(chǎn)11.5萬片8吋晶圓，高于原來韓國M8工廠的10萬片月產(chǎn)能。

有數(shù)據(jù)顯示，韓國芯片廠商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠的產(chǎn)能也遠高于其他國家和地區(qū)的芯片制造商。總體而言，韓國芯片制造商對中國市場的依賴程度要遠大于其他國家和地區(qū)。數(shù)據(jù)顯示，2022 年第一季度，三星集團對中國大陸的 112 億美元出口額中約有 30% 來自三星電子的半導體銷售。

或許正是由于韓國半導體產(chǎn)業(yè)對于中國市場的依賴，到目前為止，韓國政府在美國拜登政府組建 Chip 4 倡議方面一直持謹慎態(tài)度，表示不希望刺激到中國，不希望搞供應鏈圍堵。

對于此次美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲的關于韓國企業(yè)在華晶圓廠限制的表態(tài)，據(jù)韓聯(lián)社報道，韓國政府于上周五表示，美韓之間尚未就技術水平上限進行具體討論。

韓國工業(yè)部門在一份聲明中表示，“韓美已達成共識，韓國芯片制造商當前的業(yè)務和未來的投資，不應受到干擾?！甭暶髦羞€表示，韓國計劃與美國討論延長芯片制造設備進口至中國的豁免期限。

三星和SK海力士在華晶圓廠將走向何方？

從美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲最新的表態(tài)來看，美國政府此前對于三星電子與SK海力士在華晶圓廠的1年豁免許可到期之后，可能將不再繼續(xù)無條件豁免，而是將會對其技術發(fā)展進行限制。至于是否會與去年10月出臺的新規(guī)要求（限制獲取128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片所需的制造設備）進行對齊，還是說可能會適當放寬，目前尚不清楚。

但是，從三星和SK海力士目前在中國大陸晶圓廠最先進的技術制程來看，都超出了美國新規(guī)的限制要求。目前三星西安晶圓廠最先進的產(chǎn)品為128層3D NAND，SK海力士無錫晶圓廠最先進的產(chǎn)品為17nm DRAM。

顯然，如果在豁免到期之后，嚴格按照美國新規(guī)的標準來執(zhí)行的話，那么三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的現(xiàn)有產(chǎn)能的運營將會受到很大影響。

不過，從韓國政府的表態(tài)來看，應該還是希望美國能夠延長對于三星和SK海力士在中國大陸晶圓廠的豁免期。即使限制，也應該不影響“當前的業(yè)務和未來的投資”。

所以，如果以正常的預期來看，美國的對于三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的限制上限，可能將會放寬到17nm DRAM和128層3D NAND，以避免對三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠現(xiàn)有產(chǎn)能的影響。

如果更樂觀一點的話，那么甚至有可能放寬到更先進的一代產(chǎn)品，給予一定的升級空間。比如3D NAND可以放寬到176層，畢竟去年美光已經(jīng)量產(chǎn)了更先進的232層3D NAND。DRAM可能會放寬到1y-nm（相當于14~16nm，1x-nm制程相當于16~19nm）制程，要知道美光在2021年就推出了1α工藝（大致對應于10-12nm工藝）DRAM，2022年底美光又宣布量產(chǎn)更先進的1β 制程的DRAM。而1y-nm DRMA的下一階段1z-nm（相當于12~14nm） DRAM的生產(chǎn)，有些廠商（比如三星）就開始用上了EUV工藝。SK海力士則是從1a DRAM階段才開始導入EUV。所以，對于SK海力士的DRAM制造來說，最寬的限制估計也只能是到1z-nm了。畢竟去年就有消息稱，SK海力士希望將EUV光刻機引入其無錫工廠，但是遭到了美國方面的拒絕。

當然，如果悲觀來看，美國直接將對三星和SK海力士在中國大陸的晶圓廠的限制與去年10月出臺的新規(guī)限制對齊，那么三星西安晶圓廠將無法繼續(xù)生產(chǎn)128層3D NAND，只能生產(chǎn)低一級的96層3D NAND；SK海力士無錫廠17nm DRAM將無法生產(chǎn)，只能生產(chǎn)上一代的20nm DRAM。雖然這樣三星和SK海力士大陸工廠原有的一些舊產(chǎn)能還能繼續(xù)運營，但是更先進的產(chǎn)品將無法繼續(xù)生產(chǎn)，更不用提未來對產(chǎn)線的進一步升級了。這也意味著三星和SK海力士在中國大陸晶圓廠的市場競爭力將會持續(xù)下滑，未來的發(fā)展前景將被斬斷。三星和SK海力士未來也將不可能繼續(xù)擴大對其大陸晶圓廠的投資，甚至可能會將部分產(chǎn)能轉出。

對于這種最悲觀的預期，SK海力士首席營銷官Kevin Noh曾在去年第三季度財報電話會議上表示：“作為應急計劃，我們正在考慮出售晶圓廠、出售設備或將設備轉移到韓國?！盞evin Noh強調，“這是一個應急計劃， 我們希望(繼續(xù))在不面對這種情況的情況下運營?！彪S后，SK海力士官方發(fā)布聲明進一步解釋稱，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，“本公司澄清并未研究過與此相關的具體計劃?！?/p>

不過，從前面韓國政府的表態(tài)來看，這種最悲觀的預期發(fā)生的可能性相對較低。畢竟這可能將會直接傷害到美國與韓國之間的盟友關系，同時也不利于美國主導的Chip4聯(lián)盟的繼續(xù)推進。

另外值得注意的是，美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲有提到對于外資在中國大陸晶圓廠的“限制范圍”，“也將取決于中國人在做什么”。言下之意就是，如果中國晶圓廠靠國產(chǎn)化產(chǎn)線（或不含美日荷的產(chǎn)線）突破了限制，那么美國對于外資在中國大陸晶圓廠的“限制范圍”也將會進一步放松。因此，對于三星、SK海力士來說，如果想要降低美國限制對于其未來的影響，那么應該加強對于包括中國大陸半導體設備廠商在內(nèi)的非美日荷設備廠商的支持力度，降低其產(chǎn)線對于美日荷設備的依賴程度。

作者：芯智訊-浪客劍