納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515,專為驅(qū)動高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服、機(jī)器人,空調(diào)壓縮機(jī),新能源汽車主驅(qū),光伏逆變器、儲能、UPS、高功率電源等領(lǐng)域。
NSi68515輸入方式兼容光耦輸入,且輸入端與輸出端采用雙電容增強(qiáng)隔離技術(shù),基于納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù), 支持150kV/μs的最小共模瞬變抗擾度(CMTI),提高系統(tǒng)魯棒性。
NSi68515產(chǎn)品特性:
- 具備超強(qiáng)驅(qū)動能力,可以提供最大5A的拉灌電流
- 提供軌到軌輸出和非軌到軌輸出兩個版本
- 輸入側(cè)電源電壓VCC:3V至5.5V
- 輸入方式兼容光耦電流型輸入,可耐-6.5V反向電壓
- 驅(qū)動器側(cè)電源正壓軌VCC2:高達(dá)35V
- 驅(qū)動器側(cè)電源負(fù)壓軌VEE2:高達(dá)-17.5V
- 超高的最小共模抗擾能力(CMTI):150 kV/us
- 提供完善的保護(hù)功能
快速過流和短路保護(hù),DESAT閾值電壓6.5V
集成故障時的軟關(guān)斷功能,軟關(guān)斷電流140mA
集成米勒鉗位功能,鉗位電流高達(dá):4.5A
高壓側(cè)和低壓側(cè)均有獨立的供電欠壓保護(hù)功能UVLO
故障報警 (FLT / ULVO引腳指示)
可支持故障自動復(fù)位版本選擇 - 典型傳播延時:100ns
- 工作環(huán)境溫度:-40℃ ~ 125℃
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型:SOW16, 爬電距離>8mm
NSi68515經(jīng)典電路圖
NSi68515 CMTI高,領(lǐng)先行業(yè)水平,提高了系統(tǒng)的抗干擾能力
行業(yè)內(nèi)常見的帶保護(hù)的光耦隔離驅(qū)動IC,CMTI 一般在35KV/us。隨著系統(tǒng)的開關(guān)頻率和母線電壓的提高,以及SiC MOSFET的普及使用, 系統(tǒng)的dv/dt 急劇上升,這對隔離驅(qū)動的抗干擾能力(CMTI)提出了更高的要求。如果隔離驅(qū)動IC 的CMTI只有35KV/us,顯然已經(jīng)很難滿足系統(tǒng)的要求。而NSi68515 CMTI 大于150KV/us,能夠有效提高系統(tǒng)的抗干擾能力。納芯微基于NSi68515做了靜態(tài)CMTI和動態(tài)CMTI 摸底實驗,實驗結(jié)果是218KV/us均PASS;而同樣的測試條件下,普通的光耦隔離驅(qū)動在30KV/us左右便已經(jīng)Fail。
NSi68515 短路保護(hù)時間快,提高了管子的魯棒性
當(dāng)IGBT 和 SiC MOSFET正常開通時,是在飽和區(qū)進(jìn)行工作的;但當(dāng)IGBT 和 SiC MOSFET在開通過程中,發(fā)生過流或者上下管短路的時候,電流便會急劇增大,就會退出飽和區(qū),VCE也隨之增大,如果不及時關(guān)斷IGBT 和 SiC MOSFET,則會導(dǎo)致管子損壞或者使用壽命變短。NSi68515 通過DESAT 引腳檢測管子的VCE 電壓來判斷管子短路和過流,當(dāng)檢測到管子異常后,能夠快速關(guān)斷管子,防止管子損壞。此外,NSi68515 DESAT引腳內(nèi)部還做了濾波處理,防止系統(tǒng)誤觸發(fā)。
NSi68515產(chǎn)品選型表