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2月12日消息，據(jù)《南華早報(bào)》報(bào)道，中國(guó)大陸NAND Flash大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)近幾個(gè)月大幅削減半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備訂單，其中，對(duì)于國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠北方華創(chuàng)的采購(gòu)訂單就遭暴砍了70%。這也反映了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃受到了阻礙。

去年10月，美國(guó)政府出臺(tái)了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制新規(guī)，禁止美國(guó)設(shè)備廠商向大陸芯片制造商出口可以被用于16nm或14nm或以下非平面晶體管結(jié)構(gòu)（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片、128層或以上NAND閃存芯片制造的半導(dǎo)體設(shè)備。而這也直接限制了長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展128層以上NAND Flash。隨后在去年12月，美國(guó)政府又將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了“實(shí)體清單”，這更加使得長(zhǎng)江存儲(chǔ)連128層以下NAND Flash芯片制造所需的美系半導(dǎo)體設(shè)備的采購(gòu)也面臨受阻。

由于目前應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)及科磊這三大美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在市場(chǎng)上擁有著強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及市場(chǎng)地位，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前在無(wú)法獲得美系半導(dǎo)體設(shè)備的情況下，其原有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃及現(xiàn)有產(chǎn)線的維護(hù)都將受到影響。此前消息顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期已經(jīng)進(jìn)行了一輪裁員，裁員比例約為10%。

另外，在今年1月底，有業(yè)內(nèi)消息顯示，由于設(shè)備采購(gòu)供應(yīng)鏈中斷，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。另一位行業(yè)專家、華為前技術(shù)人員稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不缺乏光刻系統(tǒng)，因?yàn)樗趯?shí)施限制之前已購(gòu)買數(shù)臺(tái)光刻系統(tǒng)，但挑戰(zhàn)在于泛林集團(tuán)等設(shè)備供應(yīng)商的蝕刻設(shè)備，這對(duì)于復(fù)雜的3D NAND晶圓制造工藝至關(guān)重要，因?yàn)镹AND芯片堆疊的層數(shù)越多，制造過(guò)程中就會(huì)需要更多的蝕刻設(shè)備。

從全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)份額來(lái)看，泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家企業(yè)的合計(jì)占據(jù)了全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的90%以上。其中泛林半導(dǎo)體獨(dú)占52%的市場(chǎng)份額，東京電子與應(yīng)用材料分別占據(jù)20%和19%的市場(chǎng)份額。

通過(guò)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史招標(biāo)信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，截止 2021 年 6 月 30 日，共招標(biāo)光刻機(jī) 44 臺(tái)、刻蝕機(jī) 379 臺(tái)、薄膜沉積 675 臺(tái)、CMP124 臺(tái)、涂膠/顯影/去膠 130 臺(tái)、清洗設(shè)備 142 臺(tái)、氧化/擴(kuò)散/熱處理241臺(tái)、量測(cè)設(shè)備371臺(tái)，合計(jì)價(jià)值量約400~500 億元人民幣。

其中，在刻蝕設(shè)備方面，美國(guó)廠商泛林集團(tuán)占據(jù)超過(guò)一半的采購(gòu)量。中微公司中標(biāo)了50臺(tái)CCP 等離子體刻蝕機(jī)；屹唐半導(dǎo)體中標(biāo)了13臺(tái)ICP 等離子體刻蝕機(jī)；北方華創(chuàng)則中標(biāo)了24臺(tái)ICP 等離子體刻蝕機(jī)。此外，北方華創(chuàng)還中標(biāo)了2臺(tái)清洗設(shè)備。

據(jù)芯智訊了解，雖然近年來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)有持續(xù)加大國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備的采購(gòu)比例，但是目前國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備主要被應(yīng)用于一些非關(guān)鍵層的刻蝕，關(guān)鍵層的刻蝕還是需要泛林集團(tuán)的設(shè)備，畢竟技術(shù)上的差距是現(xiàn)實(shí)存在的。即便是去年10月美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口限制新規(guī)出臺(tái)，導(dǎo)致被應(yīng)用于128層及以上NAND Flash芯片制造所需的美系設(shè)備采購(gòu)受阻，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也首選加大了對(duì)于東京電子刻蝕設(shè)備的采購(gòu)。

值得注意的是，目前美國(guó)還與另外兩大半導(dǎo)體設(shè)備強(qiáng)國(guó)日本和荷蘭達(dá)成了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制協(xié)議，雖然目前日本和荷蘭尚未出臺(tái)正式的政策，但是預(yù)計(jì)會(huì)與美國(guó)去年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制新規(guī)對(duì)齊。這也意味著，未來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造商希望通過(guò)獲取日本、荷蘭及國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備來(lái)組建非美系產(chǎn)線也將會(huì)遇阻。

由于半導(dǎo)體制造是一個(gè)很長(zhǎng)的鏈條，需要用到幾十上百種設(shè)備，經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序，任何一個(gè)設(shè)備環(huán)節(jié)出現(xiàn)問(wèn)題，整個(gè)鏈條就無(wú)法正常運(yùn)轉(zhuǎn)。因此，只要長(zhǎng)江存儲(chǔ)所需的一類關(guān)鍵設(shè)備采購(gòu)受阻，且國(guó)產(chǎn)設(shè)備無(wú)法實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的替代，那么長(zhǎng)江存儲(chǔ)原計(jì)劃的擴(kuò)產(chǎn)將無(wú)法繼續(xù)實(shí)施，同時(shí)現(xiàn)有的產(chǎn)線的運(yùn)維保障未來(lái)可能也將受到影響。基于此，長(zhǎng)江存儲(chǔ)必然將會(huì)停止原有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，短期內(nèi)對(duì)于國(guó)產(chǎn)設(shè)備的采購(gòu)也將大幅減少。

不過(guò)，鑒于原本北方華創(chuàng)之前來(lái)自長(zhǎng)江存儲(chǔ)的訂單占比似乎也并不大（有數(shù)據(jù)稱約為5%），此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)砍單對(duì)于北方華創(chuàng)的影響可能沒(méi)有想象中的那么大。當(dāng)然今年原本能拿到的長(zhǎng)江存儲(chǔ)的設(shè)備訂單被砍掉了70%，對(duì)于北方華創(chuàng)今年的設(shè)備出貨來(lái)說(shuō)則是少了一大助力。

編輯：芯智訊-浪客劍