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EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封裝的GaN FET, 實現(xiàn)高效靈活設(shè)計

2023/02/07
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閱讀需 4 分鐘
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,完善了額定電壓為 100V、150 V和200 V的6個GaN晶體管系列,提供更高的性能、更小的解決方案和易于設(shè)計的DC/DC 轉(zhuǎn)換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器,以及電機驅(qū)動器。

全球增強型氮化鎵FET和IC領(lǐng)導者EPC推出 200 V、10 mΩ的EPC2307,采用耐熱增強型QFN封裝,占位面積僅為3 mm x 5 mm。

EPC2307與之前發(fā)布的100 V、1.8 mΩEPC2302、100 V、3.8 mΩ EPC2306、150 V、3 mΩ EPC2305、150 V、6 mΩ EPC2308 和 200 V、5 mΩ EPC2304 兼容,使設(shè)計人員能夠權(quán)衡 導通電阻與價格,在相同PCB占位面積上,放入不同的產(chǎn)品型號以實現(xiàn)更高效率或更低成本的解決方案。

這些器件采用頂部裸露的耐熱增強型QFN封裝。極小的熱阻改善了通過散熱器來散熱,從而實現(xiàn)出色的熱性能,而可潤濕側(cè)面簡化了組裝,而且封裝兼容,為不同規(guī)格提供了設(shè)計靈活性,從而加快了產(chǎn)品的上市時間。

該系列器件為電機驅(qū)動設(shè)計帶來各種優(yōu)勢,包括其極短死區(qū)時間可實現(xiàn)電機+逆變器系統(tǒng)的高效率、可降低磁損耗的較低電流紋波、可提高精度的較低轉(zhuǎn)矩紋波,以及可降低成本的低濾波。

對于DC/DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用,這些器件在硬開關(guān)軟開關(guān)設(shè)計中提供高達五倍的功率密度、出色的散熱性能和更低的系統(tǒng)成本。此外,振鈴和過沖都顯著減少以改善 EMI。

EPC的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說:“該系列產(chǎn)品的封裝尺寸兼容、易于組裝的器件不斷推陳而出,以支持工程師的設(shè)計實現(xiàn)高度靈活性、快速優(yōu)化和上市。該系列器件用于體積更小、更輕的電機驅(qū)動器、更高效和更小的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,以及更高效的太陽能優(yōu)化器和微型逆變器。”

EPC90150開發(fā)板采用半橋拓撲的EPC2307,旨在簡化評估過程并加快產(chǎn)品上市時間。 尺寸為2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)的電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計,包含所有關(guān)鍵組件以便于評估。

EPC2307以1000片為單位批量購買,每片價格為3.54美元。每塊開發(fā)板EPC90150的單價為200美元,可從Digi-Key立即發(fā)貨。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具,根據(jù)您所需的特定工作條件,我們會推薦合適的替代方案。

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