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SiC模塊加速高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計

2023/02/06
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從低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)傳感器到高功率太陽能逆變器,功率轉(zhuǎn)換幾乎是所有設(shè)計中的一項基本功能。可再生能源的發(fā)展趨勢和電動汽車采用率的提高需要更為高效可靠的能源轉(zhuǎn)換。本文將重點介紹其中的一些動態(tài),探討給電子工程帶來的挑戰(zhàn),并解釋寬帶碳化硅SiC)技術(shù)如何迅速獲得業(yè)界采用。由于碳化硅器件在效率和尺寸優(yōu)于其他半導(dǎo)體技術(shù),因而非常適合用于高功率應(yīng)用。

本文只專注于一個應(yīng)用:快速直流電動汽車充電器,我們將討論典型充電器的工程挑戰(zhàn)和高級架構(gòu),簡要分析分立與模塊化方法設(shè)計中的注意事項,之后會介紹onsemi F1半橋模塊。

高功率能量轉(zhuǎn)換的挑戰(zhàn)

功率轉(zhuǎn)換是一個非常廣泛的話題。無論對于電池供電的網(wǎng)絡(luò)邊緣節(jié)點物聯(lián)網(wǎng)傳感器,還是大型商用太陽能轉(zhuǎn)換器,功率轉(zhuǎn)換和管理都同樣重要,他們之間的區(qū)別僅在于所涉及的功率水平不同。傳感器在運行期間可能僅消耗幾毫瓦功率,而太陽能發(fā)電設(shè)備則可能達(dá)到數(shù)千瓦。功率轉(zhuǎn)換對于從一個電壓變換到另一個電壓也至關(guān)重要。例如,物聯(lián)網(wǎng)傳感器的微控制器電壓要求通常在3.3V或5V,但一般適合于此類應(yīng)用的化學(xué)電池標(biāo)稱電壓為3.7V。這同樣適用于更高功率應(yīng)用,如太陽能充電轉(zhuǎn)換器、不間斷電源和電動汽車充電器等,這些都需要將一個電壓轉(zhuǎn)換為另一個電壓。盡管這些應(yīng)用實例之間存在巨大的功率差異,但轉(zhuǎn)換效率都很重要。在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,低能效功率轉(zhuǎn)換會導(dǎo)致能量損失,并表現(xiàn)為產(chǎn)生熱量。過多的廢熱需要消散,以保持電子電路冷卻并可靠工作。消散這些熱量,并將其從功率轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體中移走是一項熱管理挑戰(zhàn)。

寬帶隙碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)

在所有高功率能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,轉(zhuǎn)換效率主要取決于功率半導(dǎo)體的特性。半導(dǎo)體中的一些特性會導(dǎo)致器件內(nèi)部發(fā)生能量損失,一起導(dǎo)致產(chǎn)生熱量。盡管熱量的測量單位為mΩ,但半導(dǎo)體的導(dǎo)通電阻RDS(on)可能成為涉及數(shù)百或數(shù)千安培的高功率應(yīng)用的重要考慮因素。硅功率半導(dǎo)體技術(shù)已達(dá)到其熱和電子性能的極限,隨著全球?qū)δ茉葱实娜找嬷匾?,新的半?dǎo)體工藝技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)。

碳化硅等寬帶隙半導(dǎo)體工藝技術(shù)能夠提供比硅高得多的熱性能和電子性能,允許它們在更高開關(guān)頻率、更高電壓和更高溫度下工作。圖1比較了不同半導(dǎo)體材料和應(yīng)用案例的功率管理和開關(guān)頻率特性。

圖1:不同半導(dǎo)體材料的功率、開關(guān)頻率和應(yīng)用案例。(來源:onsemi)

與硅器件相比,SiC具有許多優(yōu)點,包括熱導(dǎo)率提高了3倍,能帶隙增大了3倍。對于采用600V硅器件的應(yīng)用,則可以使用1200V開關(guān)電壓的SiC器件。因此,SiC半導(dǎo)體(如SiC-MOSFET)越來越多地用于電動汽車充電器等高功率能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用,這也許不足為奇。SiC器件還可以在更高功率密度下工作,從而實現(xiàn)體積更小的設(shè)計,這是空間受限的電動汽車充電器和路旁充電基礎(chǔ)設(shè)施所需的一個特性。

隨著SiC工藝技術(shù)的成熟,更小的工藝節(jié)點能夠提供體積更小,且價格更具有競爭力的MOSFET,進一步加快市場的采用。

快速直流電動汽車充電器的架構(gòu)探討

廣泛而隨時可用的充電基礎(chǔ)設(shè)施是電動汽車增長的關(guān)鍵因素。車載充電器提供了一種簡單而緩慢的充電方法,可以在夜間通過家用電源為電動汽車充電。為了實現(xiàn)更快速充電,直流充電器的運行功率一般高于家用電源所能提供,需要大量的電氣基礎(chǔ)設(shè)施??焖僦绷鞒潆娖魍ǔT?0kW功率以上,預(yù)計充電時間為兩小時。更高功率容量充電站可以擴展到350kW,并能夠?qū)⒊潆姇r間縮短到10分鐘以下。

負(fù)責(zé)設(shè)計快速直流電動汽車充電器的工程師面臨幾個開發(fā)限制。其中最重要的是,電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施完全無人值守,一般需要在易受雨水、灰塵和極端溫度影響的室外環(huán)境中運行。另外,如果充電器在充電基礎(chǔ)設(shè)施有限的偏遠(yuǎn)地區(qū)出現(xiàn)故障,駕駛員可能會因此陷入困境,因而運行的可靠性也至關(guān)重要。

快速直流充電器的高水平設(shè)計目標(biāo)可能會包括嚴(yán)格的能源效率目標(biāo)、用戶安全和有效熱管理,而且受所處位置的環(huán)境溫度影響很小。電動汽車充電樁不僅需要適應(yīng)主電源功率轉(zhuǎn)換的所有可能情況,還必須監(jiān)控充電、與車輛控制系統(tǒng)交互以及與服務(wù)提供商的計費系統(tǒng)通信。在這些設(shè)計中物理空間總是非常重要,機械工程師應(yīng)為充電站內(nèi)的適當(dāng)熱管理分配足夠的空間余量。充電基礎(chǔ)設(shè)施還應(yīng)符合所有相關(guān)的電氣安全、功能安全和車輛充電標(biāo)準(zhǔn)(CCS、CHAdaMO、特斯拉等)。高頻、高功率開關(guān)轉(zhuǎn)換器的另一個相關(guān)考慮因素是需要符合所在地區(qū)和國家電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。

圖2所示為一個快速直流電動汽車充電器的基本架構(gòu),其中兩個主要組件是一個AC/DC三相功率因數(shù)校正(PFC)或有源前端(AFE)功能,以及一個高功率隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器。高功率充電站通常使用多個15kW至75kW的子單元來實現(xiàn)所需容量。


圖2:快速直流電動汽車充電器的架構(gòu)。(來源:onsemi)

每個功能模塊可能以不同的拓?fù)鋵崿F(xiàn),例如,用于PFC升壓級的T中性點鉗位(T-NPC)和用于DC/DC轉(zhuǎn)換的全橋LLC零電壓開關(guān)(ZVS)。

圖3所示為一個典型電動汽車充電器三相PFC升壓轉(zhuǎn)換器,其中采用了T-NPC拓?fù)渲械?200伏SiC MOSFET模塊。

圖3:一個采用T-NPC拓?fù)浼軜?gòu)的典型三相PFC級。(來源:onsemi)

對于DC/DC轉(zhuǎn)換器級,采用半橋SiC MOSFET模塊實現(xiàn)的雙有源橋拓?fù)浼軜?gòu)能夠提供緊湊而高效的布置。

SiC模塊能夠為電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施提供高效和更佳解決方案

盡管功率系統(tǒng)工程師可以使用分立SiC MOSFET構(gòu)建電動汽車充電器的PFC和DC/DC轉(zhuǎn)換器級,但封裝好的SiC MOSFET功率集成模塊(PIM)可提供空間和熱管理優(yōu)勢,一個例子是onsemi NXH006P120MNF2PTG雙組SiC MOSFET模塊。該半橋模塊是將一個6mΩ RDS(on),1200V MOSFET和一個熱敏電阻集成在一個緊湊、高熱效率的F2封裝內(nèi)(參見圖4)。

圖4:onsemi 1200V、10mΩ SiC MOSFET和集成式熱敏電阻整合在高熱效率F1封裝內(nèi)部。(來源:onsemi)

SiC半橋MOSFET模塊適用于太陽能逆變器、電動汽車充電和工業(yè)電源等應(yīng)用。

圖5所示為一個25kW 電動汽車充電器PFC和DC/DC轉(zhuǎn)換器級中使用的NXH010P120MNF1模塊。6組PFC功能(左側(cè))提供功率因數(shù)校正和AC/DC轉(zhuǎn)換,并將DC/DC轉(zhuǎn)換器的DC輸入電壓提升至800V。


圖5:使用onsemi NXH010P120MNF1 SiC MOSFET模塊的25kW EV充電器功能架構(gòu)。(來源:onsemi)

圖6所示為雙有源橋布局示意圖,其中顯示了初級和次級功率集成模塊(PIM),無需采用散熱器和強制冷卻風(fēng)扇。DC/DC轉(zhuǎn)換器可提供車輛和三相電源之間的隔離,并根據(jù)電動汽車電池管理系統(tǒng)的要求調(diào)整輸出電壓和電流


圖6

onsemi SiC半橋模塊具有外形緊湊、低RDS(on)、優(yōu)化的熱管理和高工作頻率等特性,使其成為高功率電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的理想選擇。

高功率SiC模塊加速高能效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的開發(fā)

隨著電動汽車銷售的持續(xù)增長,快速開發(fā)和部署可靠的充電基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要。本文著重介紹了半導(dǎo)體工藝技術(shù)的最新進展,并討論了基于碳化硅的MOSFET與硅材料相比所具有的優(yōu)越特性。通過將多個SiC MOSFET封裝成緊湊、熱管理優(yōu)化的外形尺寸,工程師能夠?qū)⒏吖β兽D(zhuǎn)換應(yīng)用快速推向市場。

安森美

安森美

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達(dá)荷州波卡特洛、愛達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社收起

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